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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.77 |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 15 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 15 A | 最大漏源导通电阻： | 0.12 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-263AB |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 60 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 75 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NDB510A/L86Z | TI |
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15A, 100V, 0.12ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
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| NDB510AE | FAIRCHILD |
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N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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| NDB510AE | TI |
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15A, 100V, 0.12ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
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| NDB510AE/L86Z | TI |
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15A, 100V, 0.12ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
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| NDB510AEL/L86Z | TI |
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15A, 100V, 0.12ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
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| NDB510AEL86Z | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 100V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| NDB510AL | TI |
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15A, 100V, 0.12ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
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| NDB510AL/L86Z | TI |
获取价格 |
15A, 100V, 0.12ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
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| NDB510AL86Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 100V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| NDB510B | FAIRCHILD |
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N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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