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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> NDB508BE
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NDB508BE

更新时间： 2024-11-24 22:29:07
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
6页 76K
描述
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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NDB508BE 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.77
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：55 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：80 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：17 A
最大漏极电流 (ID)：17 A最大漏源导通电阻：0.1 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：75 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：51 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NDB508BE 数据手册

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May 1994  
NDP508A / NDP508AE / NDP508B / NDP508BE  
NDB508A / NDB508AE / NDB508B / NDB508BE  
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor  
General Description  
Features  
These N-channel enhancement mode power field  
effect transistors are produced using Fairchild's  
proprietary, high cell density, DMOS technology. This  
very high density process has been especially  
tailored to minimize on-state resistance, provide  
superior switching performance, and withstand high  
energy pulses in the avalanche and commutation  
modes. These devices are particularly suited for low  
voltage applications such as automotive, DC/DC  
converters, PWM motor controls, and other battery  
powered circuits where fast switching, low in-line  
power loss, and resistance to transients are needed.  
19 and 17A, 80V. RDS(ON) = 0.08 and 0.10W.  
Critical DC electrical parameters specified at  
elevated temperature.  
Rugged internal source-drain diode can eliminate  
the need for an external Zener diode transient  
suppressor.  
175°C maximum junction temperature rating.  
High density cell design (3 million/in²) for extremely  
low RDS(ON)  
.
TO-220 and TO-263 (D2PAK) package for both  
through hole and surface mount applications.  
_____________________________________________________________________  
D
G
S
Absolute Maximum Ratings  
TC = 25°C unless otherwise noted  
NDP508A NDP508AE  
NDB508A NDB508AE  
NDP508B NDP508BE  
NDB508B NDB508BE  
Symbol Parameter  
Units  
V
VDSS  
VDGR  
VGSS  
Drain-Source Voltage  
80  
80  
V
Drain-Gate Voltage (RGS < 1 MW)  
Gate-Source Voltage - Continuous  
±20  
±40  
V
V
- Nonrepetitive (tP < 50 ms)  
Drain Current - Continuous  
- Pulsed  
ID  
19  
57  
17  
51  
A
A
PD  
75  
W
Total Power Dissipation @ TC = 25°C  
Derate above 25°C  
0.5  
W/°C  
°C  
TJ,TSTG Operating and Storage Temperature Range  
-65 to 175  
275  
TL  
Maximum lead temperature for soldering  
purposes, 1/8" from case for 5 seconds  
°C  
© 1997 Fairchild Semiconductor Corporation  
NDP508.SAM  
123456

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与NDB508BE相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NDB508BEL/L86Z TI

获取价格

 		17A, 80V, 0.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
NDB508BEL86Z FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 80V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
NDB508BL TI

获取价格

 		17A, 80V, 0.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
NDB508BL86Z FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 80V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
NDB510A FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDB510A TI

获取价格

 		15A, 100V, 0.12ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
NDB510A/L86Z TI

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 		15A, 100V, 0.12ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
NDB510AE FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDB510AE TI

获取价格

 		15A, 100V, 0.12ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
NDB510AE/L86Z TI

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 		15A, 100V, 0.12ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB

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