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Datasheet > 驱动程序和接口 > MOSFET 驱动器> NCV33152DR2
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NCV33152DR2

更新时间： 2024-09-14 22:41:03
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 驱动器接口集成电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
12页 154K
描述
HIGH SPEED DUAL MOSFET DRIVERS

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NCV33152DR2 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOIC包装说明：SOP, SOP8,.25
针数：8Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.39.00.01
风险等级：5.62高边驱动器：YES
接口集成电路类型：BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVERJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e0长度：4.9 mm
湿度敏感等级：1功能数量：2
端子数量：8最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C标称输出峰值电流：1.5 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOP
封装等效代码：SOP8,.25封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：240
电源：12 V认证状态：Not Qualified
筛选级别：AEC-Q100座面最大高度：1.75 mm
子类别：MOSFET Drivers最大供电电压：18 V
最小供电电压：6.5 V标称供电电压：12 V
表面贴装：YES技术：BIPOLAR
温度等级：AUTOMOTIVE端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
断开时间：0.12 µs接通时间：0.12 µs
宽度：3.9 mmBase Number Matches：1

NCV33152DR2 数据手册

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MC34152, MC33152,  
NCV33152  
High Speed Dual  
MOSFET Drivers  
The MC34152/MC33152 are dual noninverting high speed drivers  
specifically designed for applications that require low current digital  
signals to drive large capacitive loads with high slew rates. These  
devices feature low input current making them CMOS/LSTTL logic  
compatible, input hysteresis for fast output switching that is  
independent of input transition time, and two high current totem pole  
outputs ideally suited for driving power MOSFETs. Also included is  
an undervoltage lockout with hysteresis to prevent system erratic  
operation at low supply voltages.  
http://onsemi.com  
MARKING  
DIAGRAMS  
8
PDIP−8  
P SUFFIX  
CASE 626  
MC3x152P  
AWL  
Typical applications include switching power supplies, dc−to−dc  
converters, capacitor charge pump voltage doublers/inverters, and  
motor controllers.  
YYWW  
8
1
1
This device is available in dual−in−line and surface mount packages.  
8
Features  
SOIC−8  
D SUFFIX  
CASE 751  
3x152  
ALYW  
• Pb−Free Packages are Available  
8
• Two Independent Channels with 1.5 A Totem Pole Outputs  
• Output Rise and Fall Times of 15 ns with 1000 pF Load  
• CMOS/LSTTL Compatible Inputs with Hysteresis  
• Undervoltage Lockout with Hysteresis  
• Low Standby Current  
• Efficient High Frequency Operation  
• Enhanced System Performance with Common Switching Regulator  
Control ICs  
1
1
x
A
= 3 or 4  
= Assembly Location  
WL, L = Wafer Lot  
YY, Y = Year  
WW, W = Work Week  
• NCV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Site  
and Control Changes  
PIN CONNECTIONS  
V
CC  
6
N.C.  
1
2
3
4
8
7
6
5
N.C.  
+
Logic Input A  
GND  
Drive Output A  
−
V
CC  
5.7V  
Logic Input B  
Drive Output B  
Drive Output A  
7
Logic  
Input A  
(Top View)  
2
100k  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 2 of this data sheet.  
Drive Output B  
5
Logic  
Input B  
4
100k  
GND  
3
Figure 1. Representative Diagram  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2004  
1
Publication Order Number:  
October, 2004 − Rev. 7  
MC34152/D  
1234567...12

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