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NCP5359DR2G

更新时间： 2024-09-19 12:19:55
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 驱动器MOSFET驱动器栅极驱动程序和接口接口集成电路光电二极管电脑栅极驱动
页数 文件大小 规格书
9页 152K
描述
Gate Driver for Notebook Power Systems

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NCP5359DR2G 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOIC
包装说明：SOP, SOP8,.25针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.39.00.01Factory Lead Time：1 week
风险等级：5.55高边驱动器：YES
接口集成电路类型：HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVERJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3长度：4.9 mm
湿度敏感等级：3功能数量：1
端子数量：8最高工作温度：85 °C
最低工作温度：封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOP封装等效代码：SOP8,.25
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：12 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.75 mm
子类别：MOSFET Drivers最大供电电压：13.2 V
最小供电电压：10 V标称供电电压：12 V
表面贴装：YES温度等级：OTHER
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：3.9 mm
Base Number Matches：1

NCP5359DR2G 数据手册

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NCP5359  
Gate Driver for Notebook  
Power Systems  
The NCP5359 is a high performance dual MOSFET gate driver  
optimized to drive the gates of both high−side and low−side power  
MOSFETs in a synchronous buck converter. Each of the drivers can  
drive up to 3 nF load with a 25 ns propagation delay and 20 ns  
transition time.  
Adaptive nonoverlap and power saving operation circuit can  
provide a low switching loss and high efficiency solution for notebook  
and desktop systems.  
http://onsemi.com  
MARKING  
DIAGRAMS  
8
A high floating top driver design can accommodate VBST voltage  
as high as 35 V, with transient voltages as high as 35 V. Bidirectional  
EN pin can provide a fault signal to controller when the gate driver  
fault detect under OVP, UVLO occur. Also, an undervoltage lockout  
function guarantees the outputs are low when supply voltage is low,  
and a thermal shutdown function provides the IC with  
overtemperature protection.  
N5359  
ALYW  
G
SOIC−8  
D SUFFIX  
CASE 751  
8
1
1
DFN−10  
MN SUFFIX  
CASE 485C  
N5359  
ALYW  
G
Features  
• Faster Rise and Fall Times  
A
L
Y
= Assembly Location  
= Wafer Lot  
= Year  
• Thermal Shutdown Protection  
• Adaptive Nonoverlap Circuit  
W = Work Week  
G
• Floating Top Driver Accommodates Boost Voltages of up to 35 V  
• Output Disable Control Turns Off Both MOSFETs  
• Complies with VRM 11.1 Specifications  
• Undervoltage Lockout  
= Pb−Free Package  
PIN CONNECTIONS  
1
8
• Power Saving Operation Under Light Load Conditions  
• Thermally Enhanced Package  
• These are Pb−Free Devices  
BST  
PWM  
EN  
DRVH  
SW  
GND  
DRVL  
V
CC  
Typical Applications  
• Power Solutions for Desktop and Notebook Systems  
1
10  
BST  
DRVH  
PWM  
EN  
SW  
GND  
GND  
DRVL  
V
CC  
V
CC  
(Top View)  
ORDERING INFORMATION  
†
Device  
Package  
Shipping  
2500 Tape & Reel  
NCP5359DR2G  
SOIC−8  
(Pb−Free)  
3000 Tape & Reel  
NCP5359MNR2G  
DFN−10  
(Pb−Free)  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specification  
Brochure, BRD8011/D.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2009  
1
Publication Order Number:  
February, 2009 − Rev. 3  
NCP5359/D  
1234567...9

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NCP5359DR2G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FAN3268TMX ONSEMI

类似代替

 低电压 18V PMOS-NMOS 桥式驱动器
IR2101STRPBF INFINEON

功能相似

 Half Bridge Based MOSFET Driver, 0.36A, CMOS, PDSO8, MS-012AA, SOIC-8

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