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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | DIP, DIP8,.3 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.39.00.01 | Factory Lead Time： | 1 week |
| 风险等级： | 5.65 | 内置保护： | UNDER VOLTAGE |
| 接口集成电路类型： | HALF BRIDGE BASED PERIPHERAL DRIVER | JESD-30 代码： | R-PDIP-T8 |
| JESD-609代码： | e3 | 长度： | 9.78 mm |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 8 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 输出电流流向： | SOURCE AND SINK | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP8,.3 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | 15 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 4.45 mm |
| 子类别： | MOSFET Drivers | 最大供电电压： | 20 V |
| 最小供电电压： | 10 V | 标称供电电压： | 15 V |
| 表面贴装： | NO | 温度等级： | AUTOMOTIVE |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 断开时间： | 0.17 µs |
| 接通时间： | 0.8 µs | 宽度： | 7.62 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NCP5104_15 | ONSEMI |
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High Voltage, Half Bridge Driver |
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| NCP5104BA36WGEVB | ONSEMI |
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High Voltage, Half Bridge Driver |
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| NCP5104DR2G | ONSEMI |
获取价格 |
High Voltage, Half Bridge Driver |
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| NCP5104PG | ONSEMI |
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High Voltage, Half Bridge Driver |
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| NCP5106A | ONSEMI |
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High Voltage, High and Low Side Driver |
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| NCP5106ADR2G | ONSEMI |
获取价格 |
High Voltage, High and Low Side Driver |
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| NCP5106AMNTWG | ONSEMI |
获取价格 |
MOSFET / IGBT 驱动器，高电压，高压和低压侧 |
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| NCP5106APG | ONSEMI |
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High Voltage, High and Low Side Driver |
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| NCP5106B | ONSEMI |
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High Voltage, High and Low Side Driver |
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| NCP5106BDR2G | ONSEMI |
获取价格 |
High Voltage, High and Low Side Driver |
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