Datasheet > NCE80TD60BP

NCE80TD60BP

更新时间： 2024-04-09 18:58:54

品牌	Logo	应用领域
新洁能 - NCEPOWER		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	1423K
描述
新洁能提供击穿电压等级范围为600V至650V的N沟道IGBT器件。通过注入增强（InjectionEnhance,IE）与场截止（FieldStop，FS）技术，新洁能IGBT系列产品在提供行业

阅读下载

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

NCE80TD60BP 数据手册

Pb Free Product

NCE80TD60BP

Electrical Characteristics of the Diode (T_C= 25°C unless otherwise specified)

Rating

Typ.

1.75

194

Symbol

Parameter

Conditions

Units

Min.

Max.

2.4

V_FM

T_rr

Diode Forward Voltage

I_F=80A

Reverse Recovery Time

I_F=80A,

I_RRM

Q_rr

Diode Peak Reverse Recovery Current

Reverse Recovery Charge

2.8

di/dt=200A/us

0.2

Wuxi NCE Power Co., Ltd

Page

V2.0

http://www.ncepower.com

1 234 5 6 7...9

下载PDF

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
NCE80TD60BT	NCEPOWER	新洁能提供击穿电压等级范围为600V至650V的N沟道IGBT器件。通过注入增强（Inje	获取价格
NCE80TD65BP	NCEPOWER	新洁能提供击穿电压等级范围为600V至650V的N沟道IGBT器件。通过注入增强（Inje	获取价格
NCE80TD65BT	NCEPOWER	新洁能提供击穿电压等级范围为600V至650V的N沟道IGBT器件。通过注入增强（Inje	获取价格
NCE80TD65BT4	NCEPOWER	新洁能提供击穿电压等级范围为600V至650V的N沟道IGBT器件。通过注入增强（Inje	获取价格
NCE81	CTS	Hard PZT	获取价格
NCE8205	NCEPOWER	NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET	获取价格