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NCE70R540F

更新时间： 2024-01-18 20:36:48
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新洁能 - NCEPOWER /
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描述
N-Channel Super Junction Power MOSFET ll

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NCE70R540F 数据手册

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NCE70R540D,NCE70R540,NCE70R540F  
NCE70R540D  
Parameter  
Symbol  
NCE70R540F  
Unit  
NCE70R540  
Drain Source voltage slope, VDS ≤480 V,  
Reverse diode dv/dt，VDS ≤480 V,ISD<ID  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
* limited by maximum junction temperature  
50  
15  
dv/dt  
dv/dt  
V/ns  
V/ns  
°C  
-55...+150  
TJ,TSTG  
Table 2. Thermal Characteristic  
Parameter  
NCE70R540D  
Symbol  
NCE70R540F  
Unit  
NCE70R540  
Thermal Resistance，Junction-to-Case（Maximum）  
Thermal Resistance，Junction-to-Ambient （Maximum）  
RthJC  
RthJA  
1.56  
62  
3.94  
80  
°C /W  
°C /W  
Table 3. Electrical Characteristics (TA=25℃unless otherwise noted)  
Parameter  
Symbol  
Condition  
Min Typ Max  
Unit  
On/off states  
Drain-Source Breakdown Voltage  
Zero Gate Voltage Drain Current(Tc=25℃)  
Zero Gate Voltage Drain Current(Tc=125℃)  
Gate-Body Leakage Current  
Gate Threshold Voltage  
BVDSS  
IDSS  
VGS=0V ID=250μA  
VDS=700V,VGS=0V  
VDS=700V,VGS=0V  
VGS=±30V,VDS=0V  
VDS=VGS,ID=250μA  
VGS=10V, ID=4A  
700  
V
μA  
μA  
nA  
V
1
IDSS  
100  
±100  
IGSS  
VGS(th)  
RDS(ON)  
2.5  
3
3.5  
Drain-Source On-State Resistance  
Dynamic Characteristics  
Forward Transconductance  
Input Capacitance  
540  
600  
mΩ  
gFS  
Clss  
Coss  
Crss  
Qg  
VDS = 20V, ID = 4A  
5.5  
680  
58  
S
pF  
pF  
pF  
nC  
nC  
nC  
Ω
VDS=50V,VGS=0V,  
Output Capacitance  
F=1.0MHz  
Reverse Transfer Capacitance  
Total Gate Charge  
4
14.5  
2.8  
5.5  
2
22  
VDS=480V,ID=8A,  
Gate-Source Charge  
Qgs  
Qgd  
RG  
VGS=10V  
Gate-Drain Charge  
Intrinsic gate resistance  
f = 1 MHz open drain  
Switching times  
Turn-on Delay Time  
td(on)  
tr  
td(off)  
tf  
5.5  
3.5  
55  
nS  
nS  
nS  
nS  
Turn-on Rise Time  
VDD=380V,ID=4A,  
RG=12Ω,VGS=10V  
Turn-Off Delay Time  
75  
10  
Turn-Off Fall Time  
6.5  
Source- Drain Diode Characteristics  
Source-drain current(Body Diode)  
Pulsed Source-drain current(Body Diode)  
Forward On Voltage  
ISD  
ISDM  
VSD  
trr  
8
A
A
TC=25°C  
23.4  
1.2  
Tj=25°C,ISD=8A,VGS=0V  
0.9  
220  
2.2  
20  
V
Reverse Recovery Time  
nS  
uC  
A
Tj=25°C,IF=8A,di/dt=100A/μs  
Reverse Recovery Charge  
Peak Reverse Recovery Current  
Qrr  
Irrm  
Notes 1.Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junction temperature  
2. Tj=25℃,VDD=50V,VG=10V, RG=25Ω  
Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd  
Page 2  
http://www.ncepower.com  
v1.0  
1234567...10

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