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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NCE60-T01 | ETC |
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PSU 60W 3 O/P |
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| NCE60T2K2I | NCEPOWER |
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新洁能提供击穿电压等级范围为500V至800V的N沟道SJ-III系列功率MOSFET产品 |
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| NCE60TD120UT | NCEPOWER |
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新洁能提供击穿电压等级范围为1200V至1350V的N沟道IGBT器件。通过工艺与器件结构 |
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| NCE60TD60BP | NCEPOWER |
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新洁能提供击穿电压等级范围为600V至650V的N沟道IGBT器件。通过注入增强（Inje |
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| NCE60TD60BT | NCEPOWER |
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新洁能提供击穿电压等级范围为600V至650V的N沟道IGBT器件。通过注入增强（Inje |
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| NCE60TD65BP | NCEPOWER |
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新洁能提供击穿电压等级范围为600V至650V的N沟道IGBT器件。通过注入增强（Inje |
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| NCE60TD65BT | NCEPOWER |
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新洁能提供击穿电压等级范围为600V至650V的N沟道IGBT器件。通过注入增强（Inje |
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| NCE60TD65BT4 | NCEPOWER |
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新洁能提供击穿电压等级范围为600V至650V的N沟道IGBT器件。通过注入增强（Inje |
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| NCE6525Q | NCEPOWER |
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新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型（Trench）功率MOSFE |
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| NCE65N180 | NCEPOWER |
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新洁能提供击穿电压等级范围为500V至1050V的N沟道SJ-IV系列功率MOSFET产品 |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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