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NCE60TD120UT

更新时间： 2024-11-19 17:02:11
品牌 Logo 应用领域
新洁能 - NCEPOWER 开关双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 356K
描述
新洁能提供击穿电压等级范围为1200V至1350V的N沟道IGBT器件。通过工艺与器件结构优化，新洁能提供高能效的IGBT产品。在导通压降与开关损耗之间做出了良好的权衡，能够大幅度提高系统效率。同

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PbFreeProduct  
NCE60TD120UT  
1200V, 60A, Trench FS II Fast IGBT  
General Description:  
Using NCE's proprietary trench design and advanced FS (Field Stop) second  
generation technology, the 1200V Trench FSII IGBT offers superior conduction and  
switching performances, and easy parallel operation;  
Features  
⚫ Trench FSII Technology Offering  
⚫ Very low VCE(sat)  
⚫ High speed switching  
⚫ Positive temperature coefficient in VCE(sat)  
⚫ Very tight parameter distribution  
⚫ High ruggedness, temperature stable behavior  
Schematic diagram  
Application  
⚫ UPS  
Package Marking and Ordering Information  
Device  
Device Package  
Device Marking  
NCE60TD120UT  
TO-247  
NCE60TD120UT  
TO-247  
Absolute Maximum Ratings (TC=25°C unless otherwise noted)  
Symbol  
VCES  
Parameter  
Value  
1200  
±30  
120  
60  
Units  
Collector-Emitter Voltage  
V
V
VGES  
Gate- Emitter Voltage  
Collector Current  
A
IC  
Collector Current @TC = 100 °C  
A
ICpuls  
-
Pulsed Collector Current，tp limited by Tjmax  
turn off safe operating area，VCE=1200V，Tj=150°C  
Diode Continuous Forward Current @TC = 100 °C  
Diode Maximum Forward Current  
180  
180  
60  
A
A
IF  
A
IFM  
225  
833  
417  
A
Power Dissipation @ TC = 25°C  
W
W
PD  
Power Dissipation @TC = 100 °C  
TJ,Tstg  
TL  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Maximum Temperature for Soldering  
-55 to +175  
260  
°C  
°C  
Short circuit withstand time VGE=15.0V, VCC≤600V,  
Allowed number of short circuits<1000Time between  
short circuits:≥1.0s,Tj≤150°C  
tsc  
5
us  
Wuxi NCE Power Co., Ltd  
Page  
V1.0  
1
http://www.ncepower.com  
123456

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与NCE60TD120UT相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NCE60TD60BP NCEPOWER

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 		新洁能提供击穿电压等级范围为600V至650V的N沟道IGBT器件。通过注入增强（Inje
NCE60TD60BT NCEPOWER

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 		新洁能提供击穿电压等级范围为600V至650V的N沟道IGBT器件。通过注入增强（Inje
NCE60TD65BP NCEPOWER

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 		新洁能提供击穿电压等级范围为600V至650V的N沟道IGBT器件。通过注入增强（Inje
NCE60TD65BT NCEPOWER

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 		新洁能提供击穿电压等级范围为600V至650V的N沟道IGBT器件。通过注入增强（Inje
NCE60TD65BT4 NCEPOWER

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NCE6525Q NCEPOWER

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 		新洁能提供击穿电压等级范围为500V至1050V的N沟道SJ-IV系列功率MOSFET产品
NCE65N180K NCEPOWER

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