Datasheet > NCE65N290

NCE65N290

更新时间： 2024-11-19 17:02:15

品牌	Logo	应用领域
新洁能 - NCEPOWER		/
页数	文件大小	规格书
7页	725K
描述
新洁能提供击穿电压等级范围为500V至1050V的N沟道SJ-IV系列功率MOSFET产品。采用第四代技术超结技术的产品，具有优异的性能，实现了业界先进的超低特征导通电阻（Ron,sp），在相同体

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

NCE65N290 数据手册

NCE65N290

N-Channel Super Junction Power MOSFET Ⅳ

General Description

The series of devices use advanced trench gate super

junction technology and design to provide excellent RDS(ON)

with low gate charge. This super junction MOSFET fits the

industry’s AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC

power conversion, and industrial power applications.

V_{DS min@Tjmax}

710

260

mΩ

R_DS(ON)TYP.

I_D

Features

●Optimized body diode reverse recovery performance

●Low on-resistance and low conduction losses

●Small package

●Ultra Low Gate Charge cause lower driving requirements

●100% Avalanche Tested

●ROHS compliant

Application

●

Power factor correction（PFC）

Switched mode power supplies(SMPS)

Uninterruptible Power Supply（UPS）

LLC Half-bridge

Package Marking And Ordering Information

Device

Device Package

Marking

NCE65N290

TO-220

NCE65N290

Table 1. Absolute Maximum Ratings (T_C=25℃)

Parameter

Symbol

Value

650

Unit

Drain-Source Voltage (VGS=0V）

VDS

VGS

±30

±20

Gate-Source Voltage (VDS=0V) ,AC (f>1 Hz)

Gate-Source Voltage (VDS=0V) ,DC

Continuous Drain Current at Tc=25°C

Continuous Drain Current at Tc=100°C

VGS

I_{D (DC)}

I_{DM (pluse)}

P_D

9.1

(Note 1)

Pulsed drain current

Maximum Power Dissipation(Tc=25℃)

127

Derate above 25°C

0.85

W/°C

(Note 2)

I_AS

Single pulse avalanche current

Reverse diode dv/dt，V_DS≤480 V,I_SD<I_D

Drain Source voltage slope，V_DS≤480 V

Operating Junction and Storage Temperature Range

dv/dt

T_J,T_STG

V/ns

°C

-55...+175

Wuxi NCE Power Co., Ltd

Page 1

http://www.ncepower.com

V1.0

12 3 4 5 6 7

中文翻译

下载PDF

与NCE65N290相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NCE65N290D	NCEPOWER	获取价格	新洁能提供击穿电压等级范围为500V至1050V的N沟道SJ-IV系列功率MOSFET产品
NCE65N290F	NCEPOWER	获取价格	新洁能提供击穿电压等级范围为500V至1050V的N沟道SJ-IV系列功率MOSFET产品
NCE65N290I	NCEPOWER	获取价格	新洁能提供击穿电压等级范围为500V至1050V的N沟道SJ-IV系列功率MOSFET产品
NCE65N290K	NCEPOWER	获取价格	新洁能提供击穿电压等级范围为500V至1050V的N沟道SJ-IV系列功率MOSFET产品
NCE65N330	NCEPOWER	获取价格	新洁能提供击穿电压等级范围为500V至1050V的N沟道SJ-IV系列功率MOSFET产品
NCE65N330D	NCEPOWER	获取价格	新洁能提供击穿电压等级范围为500V至1050V的N沟道SJ-IV系列功率MOSFET产品
NCE65N330F	NCEPOWER	获取价格	新洁能提供击穿电压等级范围为500V至1050V的N沟道SJ-IV系列功率MOSFET产品
NCE65N330K	NCEPOWER	获取价格	新洁能提供击穿电压等级范围为500V至1050V的N沟道SJ-IV系列功率MOSFET产品
NCE65N460	NCEPOWER	获取价格	新洁能提供击穿电压等级范围为500V至1050V的N沟道SJ-IV系列功率MOSFET产品
NCE65N460D	NCEPOWER	获取价格	新洁能提供击穿电压等级范围为500V至1050V的N沟道SJ-IV系列功率MOSFET产品

与NCE65N290相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

18
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

12
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

43
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

38

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

NCE65N290

NCE65N290 数据手册

与NCE65N290相关器件

与NCE65N290相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

NCE65N290

NCE65N290 数据手册

与NCE65N290相关器件

与NCE65N290相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？