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NCE60TD65BT

更新时间： 2024-11-19 17:01:23
品牌 Logo 应用领域
新洁能 - NCEPOWER 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 1696K
描述
新洁能提供击穿电压等级范围为600V至650V的N沟道IGBT器件。通过注入增强（InjectionEnhance,IE）与场截止（FieldStop，FS）技术，新洁能IGBT系列产品在提供行业

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Pb Free Product  
NCE60TD65BT  
650V, 60A, Trench FS II Fast IGBT  
General Description  
Using NCE's proprietary trench design and advanced FS (Field Stop) second  
generation technology, the 650V Trench FSII IGBT offers superior conduction and  
switching performances, and easy parallel operation;  
Features  
Trench FSII Technology offering  
Very low VCE(sat)  
High speed switching  
Positive temperature coefficient in VCE(sat)  
Very tight parameter distribution  
High ruggedness, temperature stable behavior  
Schematic diagram  
Application  
Air Condition  
Inverters  
Motor drives  
Package Marking and Ordering Information  
Device  
Device Package  
Device Marking  
NCE60TD65BT  
TO-247-3L  
NCE60TD65BT  
TO-247-3L  
Absolute Maximum Ratings (TC=25°C unless otherwise noted)  
Symbol  
VCES  
Parameter  
Value  
Units  
V
Collector-Emitter Voltage  
650  
±30  
VGES  
Gate- Emitter Voltage  
V
Collector Current  
120  
A
IC  
Collector Current @TC = 100 °C  
60  
A
ICpuls  
-
Pulsed Collector Current，tp limited by Tjmax  
turn off safe operating area，VCE=650V, Tj=175°C  
Diode Continuous Forward Current @TC = 100 °C  
Diode Maximum Forward Current  
Power Dissipation @ TC = 25°C  
240  
A
240  
A
IF  
60  
A
IFM  
240  
A
319  
W
W
°C  
°C  
PD  
Power Dissipation @TC = 100 °C  
159  
TJ,Tstg  
TL  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Maximum Temperature for Soldering  
-55 to +175  
260  
Short circuit withstand time VGE=15V, VCC≤400V,  
Allowed number of short circuits<1000Time between  
short circuits:≥1.0s,Tj≤150°C  
tsc  
5
us  
Wuxi NCE Power Co., Ltd  
Page  
V4.2  
1
http://www.ncepower.com  
1234567...12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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