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NCE25TD135LT

更新时间: 2024-04-09 18:59:26
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新洁能 - NCEPOWER 开关双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 356K
描述
新洁能提供击穿电压等级范围为1200V至1350V的N沟道IGBT器件。通过工艺与器件结构优化,新洁能提供高能效的IGBT产品。在导通压降与开关损耗之间做出了良好的权衡,能够大幅度提高系统效率。同

NCE25TD135LT 数据手册

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PbFreeProduct  
NCE25TD135LT  
Thermal Characteristic  
Symbol  
Parameter  
Value  
0.41  
0.86  
40  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
RθJC  
RθJC  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction to case for IGBT  
Thermal Resistance, Junction to case for Diode  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Electrical Characteristics (TC=25°C unless otherwise noted)  
Value  
Symbol  
Parameter  
Test Conditions  
Units  
Min.  
Typ.  
Max.  
Static Characteristics  
V(BR)CES  
ICES  
IGES(F)  
IGES(R)  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Leakage Current  
Gate to Emitter Forward Leakage  
Gate to Source Reverse Leakage  
VGE=0V,ICE=1mA  
VGE =0V,VCE=1350V  
VGE=+30V,VCE=0V  
1350  
--  
--  
--  
--  
5
V
uA  
nA  
nA  
--  
--  
200  
200  
1.85  
--  
VGE=-30V,VCE =0V  
--  
--  
VGE=15V,IC=25A, Tj=25°C  
VGE=15V,IC=30A, Tj=25°C  
VGE=15V,IC=25A, Tj=150°C  
IC=1mA, VCE=VGE  
--  
1.60  
1.70  
1.85  
--  
VCE(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Gate Threshold Voltage  
--  
V
V
--  
--  
VGE(th)  
5.0  
6.5  
Dynamic Characteristics  
Cies  
Coes  
Cres  
Qg  
Input Capacitance  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
2674  
72  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
VCE=30V,VGE=0V,  
f=1MHz  
Output Capacitance  
pF  
Reverse Transfer Capacitance  
Total Gate Charge  
59  
146  
28  
nC  
nC  
nC  
VCC=960V, IC=25A  
VGE=15V  
Qge  
Qgc  
Gate to Emitter Charge  
Gate to Collector Charge  
84  
Switching Characteristics  
td(ON) Turn-on Delay Time  
tr  
td(OFF)  
tf  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
19  
17  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
Rise Time  
ns  
Turn-Off Delay Time  
Fall Time  
170  
18  
VCE=600V,IC=25A  
VGE=0/15V, Rg=5Ω  
Inductive Load  
Eon  
Eoff  
Ets  
Turn-On Switching Loss  
Turn-Off Switching Loss  
Total Switching Loss  
2.0  
1.5  
3.5  
mJ  
Electrical Characteristics of the Diode (TC= 25°C unless otherwise specified)  
Rating  
Symbol  
Parameter  
Test Conditions  
Units  
Min.  
Typ.  
2.5  
Max.  
3.4  
--  
VFM  
Trr  
Diode Forward Voltage  
IF=12.5A  
--  
--  
--  
--  
V
ns  
A
Reverse Recovery Time  
120  
12  
IF=12.5A,  
IRRM  
Qrr  
Diode Peak Reverse Recovery Current  
Reverse Recovery Charge  
--  
di/dt=200A/us  
0.72  
--  
uC  
Pulse width ttp≤380µs,δ≤2%  
Wuxi NCE Power Co., Ltd  
Page  
V2.0  
2
http://www.ncepower.com  

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