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NB6L11DR2G

更新时间： 2024-02-25 15:45:41
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 时钟
页数 文件大小 规格书
12页 212K
描述
2.5 V/3.3 V Multilevel Input to Differential LVPECL/LVNECL 1:2 Clock or Data Fanout Buffer/Translator

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NB6L11DR2G 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOIC包装说明：SOP, SOP8,.25
针数：8Reach Compliance Code：not_compliant
HTS代码：8542.39.00.01风险等级：5.36
其他特性：NECL MODE: VCC = 0V WITH VEE = -2.375V TO -3.465V系列：6L
输入调节：DIFFERENTIALJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e0长度：4.9 mm
逻辑集成电路类型：LOW SKEW CLOCK DRIVER功能数量：1
反相输出次数：端子数量：8
实输出次数：2最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOP封装等效代码：SOP8,.25
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：240电源：+-2.5/+-3.3 V
Prop。Delay @ Nom-Sup：0.22 ns传播延迟（tpd）：0.2 ns
认证状态：Not QualifiedSame Edge Skew-Max（tskwd）：0.015 ns
座面最大高度：1.75 mm子类别：Clock Drivers
最大供电电压 (Vsup)：3.465 V最小供电电压 (Vsup)：2.375 V
标称供电电压 (Vsup)：2.5 V表面贴装：YES
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Tin/Lead (Sn80Pb20)
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
宽度：3.9 mmBase Number Matches：1

NB6L11DR2G 数据手册

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NB6L11  
Q0  
Q0  
1
2
8
7
V
CC  
R
R
2
D
D
R
R
1
1
6
5
Q1  
Q1  
3
4
2
V
EE  
Figure 1. Pinout (Top View) and Logic Diagram  
Table 1. PIN DESCRIPTION  
Pin  
Name  
I/O  
Default State  
Description  
1
Q0  
ECL Output  
ECL Output  
ECL Output  
ECL Output  
−
−
−
−
−
Non−inverted differential clock/data output 0. Typically termi-  
nated with 50 W Resistor to V = V − 2 V.  
TT  
CC  
2
3
4
Q0  
Q1  
Q1  
Inverted differential clock/data output 0. Typically terminated with  
50 W resistor to V = V − 2 V.  
TT  
CC  
Non−inverted differential clock/data output 1. Typically termi-  
nated with 50 W resistor to V = V − 2 V.  
TT  
CC  
Inverted differential clock/data output 1. Typically terminated with  
50 W resistor to V = V − 2 V.  
TT  
CC  
5
6
V
−
Negative power supply voltage  
Inverted differential clock/data input. Internal 37.5 kW to V and  
EE  
D
LVDS, CML, LVPECL, LVNECL,  
LVCMOS, LVTTL Input  
HIGH  
CC  
75 kW to V .  
EE  
7
8
D
LVDS, CML, LVPECL, LVNECL,  
LVCMOS, LVTTL Input  
LOW  
Non−inverted differential clock/data input. Internal 75 kW to V  
CC  
and 37.5 kW to V  
.
EE  
V
−
−
Positive power supply voltage  
CC  
Table 2. ATTRIBUTES  
Characteristics  
Value  
Internal Input Pulldown Resistor  
Internal Input Pullup Resistor  
ESD Protection  
37.5 kW  
75 kW  
Human Body Model  
> 2 kV  
> 100 V  
> 1 kV  
Machine Model  
Charged Device Model  
Moisture Sensitivity, Indefinite Time Out of Drypack (Note 1)  
Pb Pkg  
Pb−Free Pkg  
SOIC−8  
TSSOP−8  
Level 1  
Level 1  
Level 1  
Level 3  
Flammability Rating  
Transistor Count  
Oxygen Index: 28 to 34  
UL 94 V−0 @ 0.125 in  
167 Devices  
Meets or exceeds JEDEC Spec EIA/JESD78 IC Latchup Test  
1. For additional information, see Application Note AND8003/D.  
http://onsemi.com  
2
 
1234567...12

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