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意法半导体 - STMICROELECTRONICS | 内存集成电路 | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
59页 | 1154K | |
描述 | ||
Flash, 1GX8, 25000ns, PBGA63, 9.50 X 12 MM,1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TFBGA-63 |
是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Transferred |
零件包装代码: | BGA | 包装说明: | 9.50 X 12 MM,1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TFBGA-63 |
针数: | 63 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | 3A991.B.1.A | HTS代码: | 8542.32.00.51 |
风险等级: | 5.18 | 最长访问时间: | 25000 ns |
JESD-30 代码: | R-PBGA-B63 | JESD-609代码: | e1 |
长度: | 12 mm | 内存密度: | 8589934592 bit |
内存集成电路类型: | FLASH | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 63 |
字数: | 1073741824 words | 字数代码: | 1000000000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 1GX8 | |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TFBGA |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
编程电压: | 3 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.2 mm | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 2.7 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Silver/Copper (Sn95.5Ag4.0Cu0.5) |
端子形式: | BALL | 端子节距: | 0.8 mm |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
类型: | NAND TYPE | 宽度: | 9.5 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
NAND08GW3B4C | NUMONYX |
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4 Gbit, 8 Gbit, 2112 byte/1056 word page multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND Flash | |
NAND08GW3B4CN1E | NUMONYX |
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NAND08GW3B4CN1F | NUMONYX |
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NAND08GW3B4CN6E | NUMONYX |
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NAND08GW3B4CN6F | NUMONYX |
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NAND08GW3B4CZL1E | NUMONYX |
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NAND08GW3B4CZL1F | NUMONYX |
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NAND08GW3B4CZL6E | NUMONYX |
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NAND08GW3B4CZL6F | NUMONYX |
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NAND08GW3B4DN1E | NUMONYX |
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