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NAND08GW3B4CZL6F

更新时间： 2024-10-27 04:57:39

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恒忆 - NUMONYX		闪存存储内存集成电路
页数	文件大小	规格书
69页	1707K
描述
4 Gbit, 8 Gbit, 2112 byte/1056 word page multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND Flash memories

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NAND08GW3B4CZL6F 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	LGA	包装说明：	VBGA, LGA52(UNSPEC)
针数：	52	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	3A991.B.1.A	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.68	最长访问时间：	25000 ns
命令用户界面：	YES	数据轮询：	NO
JESD-30 代码：	R-PBGA-B52	长度：	17 mm
内存密度：	8589934592 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	8	功能数量：	1
部门数/规模：	8K	端子数量：	52
字数：	1073741824 words	字数代码：	1000000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	1GX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	VBGA
封装等效代码：	LGA52(UNSPEC)	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE	页面大小：	2K words
并行/串行：	PARALLEL	电源：	3/3.3 V
编程电压：	3 V	认证状态：	Not Qualified
就绪/忙碌：	YES	座面最大高度：	0.65 mm
部门规模：	128K	最大待机电流：	0.00005 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	BALL	端子节距：	1 mm
端子位置：	BOTTOM	切换位：	NO
类型：	NAND TYPE	宽度：	12 mm
Base Number Matches：	1

NAND08GW3B4CZL6F 数据手册

NAND04G-B2D, NAND08G-BxC

4 Gbit, 8 Gbit, 2112 byte/1056 word page

multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND Flash memories

Preliminary Data

Features

■ High density NAND Flash Memory

– Up to 8 Gbit memory array

– Cost-effective solution for mass storage

applications

■ NAND interface

TSOP48 12 x 20 mm (N)

– x8 or 16x bus width

– Multiplexed address/data

LGA

■ Supply voltage: 1.8 V or 3.0 V device

■ Page size

LGA52 12 x 17 mm (ZL)

– x8 device: (2048 + 64 spare) bytes

– x16 device: (1024 + 32 spare) words

■ Data protection:

■ Block size

– Hardware program/erase disabled during

power transitions

– x8 device: (128K + 4 K spare) bytes

– x16 device: (64K + 2 K spare) words

– Non-volatile protection option

■ ONFI 1.0 compliant command set

■ Data integrity

■ Multiplane architecture

– Array split into two independent planes

– Program/erase operations can be

– 100 000 program/erase cycles (with ECC

(error correction code))

performed on both planes at the same time

■ Page read/program

– 10 years data retention

– Random access: 25 µs (max)

– Sequential access: 25 ns (min)

– Page program time: 200 µs (typ)

■ ECOPACK packages

Table 1.

Device Summary

Part number

– Multiplane page program time (2 pages):

200 µs (typ)

Reference

NAND04GR3B2D

NAND04GW3B2D

NAND04GR4B2D⁽¹⁾

NAND04GW4B2D⁽¹⁾

NAND08GR3B2C,

NAND08GW3B2C

NAND08GR4B2C⁽¹⁾

NAND08GW4B2C⁽¹⁾

NAND08GR3B4C

NAND08GW3B4C

■ Copy back program with automatic error

detection code (EDC)

NAND04G-B2D

NAND08G-BxC

■ Cache read mode

■ Fast block erase

– Block erase time: 1.5 ms (typ)

– Multiblock erase time (2 blocks):

1.5 ms (typ)

■ Status Register

■ Electronic signature

■ Chip Enable ‘don’t care’

■ Serial number option

1. x16 organization only available for MCP products.

December 2007

Rev 3

1/69

This is preliminary information on a new product now in development or undergoing evaluation. Details are subject to

change without notice.

www.numonyx.com

12 3 4 5 6 7...69

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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NAND08GW3B4DN6E	NUMONYX	获取价格	4 Gbit, 8 Gbit, 2112 byte/1056 word page multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND Flash
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