是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TSOP |
包装说明: | TSSOP, TSSOP48,.8,20 | 针数: | 48 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | 3A991.B.1.A |
HTS代码: | 8542.32.00.51 | 风险等级: | 5.68 |
最长访问时间: | 60000 ns | 命令用户界面: | YES |
数据轮询: | NO | JESD-30 代码: | R-PDSO-G48 |
长度: | 18.4 mm | 内存密度: | 8589934592 bit |
内存集成电路类型: | FLASH | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 部门数/规模: | 8K |
端子数量: | 48 | 字数: | 1073741824 words |
字数代码: | 1000000000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 1GX8 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TSSOP | 封装等效代码: | TSSOP48,.8,20 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH |
页面大小: | 2K words | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 3/3.3 V |
编程电压: | 3 V | 认证状态: | Not Qualified |
就绪/忙碌: | YES | 座面最大高度: | 1.2 mm |
部门规模: | 128K | 最大待机电流: | 0.00005 A |
子类别: | Flash Memories | 最大压摆率: | 0.03 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 2.7 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.5 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
切换位: | NO | 类型: | NAND TYPE |
宽度: | 12 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
NAND08GW3C2AN6E | NUMONYX |
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8/16 Gbit, 2112 byte page, 3 V supply, multilevel, multiplane, NAND Flash memory | |
NAND08GW3C2AN6F | NUMONYX |
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8/16 Gbit, 2112 byte page, 3 V supply, multilevel, multiplane, NAND Flash memory | |
NAND08GW3C2AZL1E | NUMONYX |
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8/16 Gbit, 2112 byte page, 3 V supply, multilevel, multiplane, NAND Flash memory | |
NAND08GW3C2AZL1F | NUMONYX |
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8/16 Gbit, 2112 byte page, 3 V supply, multilevel, multiplane, NAND Flash memory | |
NAND08GW3C2AZL6E | NUMONYX |
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8/16 Gbit, 2112 byte page, 3 V supply, multilevel, multiplane, NAND Flash memory | |
NAND08GW3C2AZL6F | NUMONYX |
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8/16 Gbit, 2112 byte page, 3 V supply, multilevel, multiplane, NAND Flash memory | |
NAND08GW3C2B | NUMONYX |
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8 or 16 Gbit, 2112 byte page, 3 V supply, multilevel, multiplane, NAND Flash memory | |
NAND08GW3C2BN1E | NUMONYX |
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8 or 16 Gbit, 2112 byte page, 3 V supply, multilevel, multiplane, NAND Flash memory | |
NAND08GW3C2BN1F | NUMONYX |
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8 or 16 Gbit, 2112 byte page, 3 V supply, multilevel, multiplane, NAND Flash memory | |
NAND08GW3C2BN6E | NUMONYX |
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8 or 16 Gbit, 2112 byte page, 3 V supply, multilevel, multiplane, NAND Flash memory |