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NAND08GW3C2AZL6F

更新时间： 2024-10-27 03:17:51

品牌	Logo	应用领域
恒忆 - NUMONYX		闪存存储
页数	文件大小	规格书
58页	1398K
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8/16 Gbit, 2112 byte page, 3 V supply, multilevel, multiplane, NAND Flash memory

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NAND08GW3C2AZL6F 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	LGA
包装说明：	VBGA,	针数：	52
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991.B.1.A
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.53
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	60000 ns
JESD-30 代码：	R-PBGA-B52	长度：	16.9 mm
内存密度：	8589934592 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	52	字数：	1073741824 words
字数代码：	1000000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	1GX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	VBGA	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
编程电压：	3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	0.65 mm	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子形式：	BALL
端子节距：	1 mm	端子位置：	BOTTOM
宽度：	12 mm	Base Number Matches：	1

NAND08GW3C2AZL6F 数据手册

NAND08GW3C2A

NAND16GW3C4A

8/16 Gbit, 2112 byte page,

3 V supply, multilevel, multiplane, NAND Flash memory

Features

■ High density multilevel cell (MLC) Flash

memory

– Up to 16 Gbit memory array

– Up to 512 Mbit spare area

– Cost-effective solutions for mass storage

applications

■ NAND interface

TSOP48 12 x 20 mm (N)

– x 8 bus width

– Multiplexed address/data

■ Supply voltage: V = 2.7 to 3.6 V

■ Page size: (2048 + 64 spare) bytes

■ Block size: (256K + 8K spare) bytes

LGA52 12 x 17 mm (N)

■ Multiplane architecture

– Array split into two independent planes

– Program/erase operations can be

■ Data protection

performed on both planes at the same time

– Hardware program/erase locked during

power transitions

■ Page read/program

– Random access: 60 µs (max)

– Sequential access: 25 ns (min)

– Page program operation time: 800 µs (typ)

■ Development tools

– Error correction code models

– Bad block management and wear leveling

algorithm

■ Multipage program time (2 pages): 800 µs (typ)

– HW simulation models

■ Fast block erase

■ Data integrity

– Block erase time: 2.5 ms (typ)

– 10,000 program/erase cycles (with ECC)

– 10 years data retention

■ Multiblock erase time (2 blocks): 2.5 ms (typ)

■ Status register

■ ECOPACK packages available

■ Electronic signature

■ Serial number option

■ Chip enable ‘don’t care’

January 2008

Rev 2

1/58

www.numonyx.com

12 3 4 5 6 7...58

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NAND08GW3C2BN6E	NUMONYX	获取价格	8 or 16 Gbit, 2112 byte page, 3 V supply, multilevel, multiplane, NAND Flash memory
NAND08GW3C2BN6F	NUMONYX	获取价格	8 or 16 Gbit, 2112 byte page, 3 V supply, multilevel, multiplane, NAND Flash memory
NAND08GW3C2BZL1E	NUMONYX	获取价格	8 or 16 Gbit, 2112 byte page, 3 V supply, multilevel, multiplane, NAND Flash memory
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NAND08GW3C2BZL6F	NUMONYX	获取价格	8 or 16 Gbit, 2112 byte page, 3 V supply, multilevel, multiplane, NAND Flash memory
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