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N74F670N

更新时间: 2024-09-17 22:31:31
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
12页 101K
描述
4 x 4 register file 3-State

N74F670N 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DIP包装说明:DIP, DIP16,.3
针数:16Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.92最长访问时间:12.5 ns
JESD-30 代码:R-PDIP-T16长度:21.6 mm
内存密度:16 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:4功能数量:1
端口数量:1端子数量:16
字数:4 words字数代码:4
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:4X4
输出特性:3-STATE可输出:NO
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:DIP
封装等效代码:DIP16,.3封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
电源:5 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:4.7 mm子类别:Other Memory ICs
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:TTL温度等级:COMMERCIAL
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL宽度:7.62 mm
Base Number Matches:1

N74F670N 数据手册

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INTEGRATED CIRCUITS  
74F670  
4 x 4 register file (3-State)  
Product specification  
IC15 Data Handbook  
1990 Jul 12  
Philips  
Semiconductors  

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