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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | DISK BUTTON, O-CEDB-N2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.30.00.80 | 风险等级： | 5.84 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | HIGH RELIABILITY |
| 配置： | SINGLE | 关态电压最小值的临界上升速率： | 300 V/us |
| 最大直流栅极触发电流： | 150 mA | 最大直流栅极触发电压： | 3 V |
| 最大维持电流： | 500 mA | JESD-30 代码： | O-CEDB-N2 |
| 通态非重复峰值电流： | 9280 A | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最大通态电流： | 752000 A |
| 最高工作温度： | 125 °C | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | DISK BUTTON |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大均方根通态电流： | 1180.64 A |
| 重复峰值关态漏电流最大值： | 40000 µA | 断态重复峰值电压： | 200 V |
| 重复峰值反向电压： | 200 V | 子类别： | Silicon Controlled Rectifiers |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | END | 触发设备类型： | SCR |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| N283CH04HOO | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 1180.64A I(T)RMS, 752000mA I(T), 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 |
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| N283CH06 | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 1180.64A I(T)RMS, 752000mA I(T), 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 |
|
| N283CH06GOO | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 1180.64A I(T)RMS, 752000mA I(T), 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 |
|
| N283CH06HOO | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 1180.64A I(T)RMS, 752000mA I(T), 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 |
|
| N283CH06JOO | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 1180.64A I(T)RMS, 752000mA I(T), 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 |
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| N283CH06KOO | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 1180.64A I(T)RMS, 752000mA I(T), 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 |
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| N283CH06LOO | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 1180.64A I(T)RMS, 752000mA I(T), 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 |
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| N283CH08 | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 1180.64A I(T)RMS, 752000mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 |
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| N283CH08GOO | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 1180.64A I(T)RMS, 752000mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 |
|
| N283CH08HOO | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 1180.64A I(T)RMS, 752000mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 |
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