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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | DISK BUTTON, O-CEDB-N2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.30.00.80 |
| 风险等级： | 5.84 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | HIGH RELIABILITY | 配置： | SINGLE |
| 关态电压最小值的临界上升速率： | 200 V/us | 最大直流栅极触发电流： | 150 mA |
| 最大直流栅极触发电压： | 3 V | 最大维持电流： | 500 mA |
| JESD-30 代码： | O-CEDB-N2 | 通态非重复峰值电流： | 9280 A |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最大通态电流： | 752000 A | 最高工作温度： | 125 °C |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | DISK BUTTON | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大均方根通态电流： | 1180.64 A | 重复峰值关态漏电流最大值： | 40000 µA |
| 断态重复峰值电压： | 800 V | 重复峰值反向电压： | 800 V |
| 子类别： | Silicon Controlled Rectifiers | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | END |
| 触发设备类型： | SCR | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| N283CH08GOO | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 1180.64A I(T)RMS, 752000mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 |
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| N283CH08HOO | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 1180.64A I(T)RMS, 752000mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 |
|
| N283CH08JOO | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 1180.64A I(T)RMS, 752000mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 |
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| N283CH08KOO | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 1180.64A I(T)RMS, 752000mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 |
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| N283CH08LOO | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 1180.64A I(T)RMS, 752000mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 |
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| N283CH12 | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 1180.64A I(T)RMS, 752000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), |
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| N283CH12GOO | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 1180.64A I(T)RMS, 752000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), |
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| N283CH12HOO | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 1180.64A I(T)RMS, 752000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), |
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| N283CH12JOO | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 1180.64A I(T)RMS, 752000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), |
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| N283CH12KOO | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 1180.64A I(T)RMS, 752000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), |
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