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N283CH06KOO PDF预览

N283CH06KOO

更新时间： 2024-11-05 19:35:11
品牌 Logo 应用领域
IXYS 栅栅极
页数 文件大小 规格书
3页 425K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 1180.64A I(T)RMS, 752000mA I(T), 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element

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N283CH06KOO 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：DISK BUTTON, O-CEDB-N2
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.30.00.80
风险等级：5.84其他特性：HIGH RELIABILITY
配置：SINGLE关态电压最小值的临界上升速率：750 V/us
最大直流栅极触发电流：150 mA最大直流栅极触发电压：3 V
最大维持电流：500 mAJESD-30 代码：O-CEDB-N2
通态非重复峰值电流：9280 A元件数量：1
端子数量：2最大通态电流：752000 A
最高工作温度：125 °C封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：ROUND封装形式：DISK BUTTON
认证状态：Not Qualified最大均方根通态电流：1180.64 A
重复峰值关态漏电流最大值：40000 µA断态重复峰值电压：600 V
重复峰值反向电压：600 V子类别：Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：YES端子形式：NO LEAD
端子位置：END触发设备类型：SCR
Base Number Matches：1

N283CH06KOO 数据手册

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与N283CH06KOO相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
N283CH06LOO IXYS

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 		Silicon Controlled Rectifier, 1180.64A I(T)RMS, 752000mA I(T), 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1
N283CH08 IXYS

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 		Silicon Controlled Rectifier, 1180.64A I(T)RMS, 752000mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1
N283CH08GOO IXYS

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 		Silicon Controlled Rectifier, 1180.64A I(T)RMS, 752000mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1
N283CH08HOO IXYS

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 		Silicon Controlled Rectifier, 1180.64A I(T)RMS, 752000mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1
N283CH08JOO IXYS

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 		Silicon Controlled Rectifier, 1180.64A I(T)RMS, 752000mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1
N283CH08KOO IXYS

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 		Silicon Controlled Rectifier, 1180.64A I(T)RMS, 752000mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1
N283CH08LOO IXYS

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