5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | DISK BUTTON, O-CXDB-X4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.30.00.80 |
| 风险等级： | 5.92 | 其他特性： | HIGH RELIABILITY |
| 配置： | SINGLE | 最大直流栅极触发电流： | 300 mA |
| JESD-30 代码： | O-CXDB-X4 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | DISK BUTTON |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大均方根通态电流： | 3261 A | 断态重复峰值电压： | 3600 V |
| 重复峰值反向电压： | 3600 V | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UNSPECIFIED |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 触发设备类型： | SCR |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| N1661VC320 | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 3259A I(T)RMS, 3200V V(DRM), 3200V V(RRM), 1 Element |
|
| N1661VC340 | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 3259A I(T)RMS, 3400V V(DRM), 3400V V(RRM), 1 Element |
|
| N1661VC360 | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 3259A I(T)RMS, 3600V V(DRM), 3600V V(RRM), 1 Element, |
|
| N1661VC360 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Littelfuse提供业界最全面的标准相位控制晶闸管系列之一。 器件电压范围在400V至 |
|
| N1661VF300 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Littelfuse提供业界最全面的标准相位控制晶闸管系列之一。 器件电压范围在400V至 |
|
| N1661VF360 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Littelfuse提供业界最全面的标准相位控制晶闸管系列之一。 器件电压范围在400V至 |
|
| N1663CH29 | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 6260A I(T)RMS, 2900V V(DRM), 2900V V(RRM), 1 Element, 101A32 |
|
| N1663CH29GOO | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 6260 A, 2900 V, SCR, 101A325, 3 PIN |
|
| N1663CH29HOO | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 6260A I(T)RMS, 2900V V(DRM), 2900V V(RRM), 1 Element, 101A32 |
|
| N1663CH29JOO | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 6260A I(T)RMS, 2900V V(DRM), 2900V V(RRM), 1 Element, 101A32 |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
