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N1661VF300

更新时间： 2024-11-07 14:59:35
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE /
页数 文件大小 规格书
8页 332K
描述
Littelfuse提供业界最全面的标准相位控制晶闸管系列之一。 器件电压范围在400V至6500V，适合用于线电压230V至1000V以上的应用（电压更高的应用现可使用我们的中压晶闸管系列）。

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N1661VF300 数据手册

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NGB8202AN  
Ignition IGBT  
20 A, 400 V, N−Channel D2PAK  
This Logic Level Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features  
monolithic circuitry integrating ESD and Overvoltage clamped  
protection for use in inductive coil drivers applications. Primary uses  
include Ignition, Direct Fuel Injection, or wherever high voltage and  
high current switching is required.  
Littelfuse.com  
20 AMPS, 400 VOLTS  
Features  
V
CE(on) = 1.3 V @  
• Ideal for Coil−on−Plug and Driver−on−Coil Applications  
• Gate−Emitter ESD Protection  
IC = 10 A, VGE . 4.5 V  
C
• Temperature Compensated Gate−Collector Voltage Clamp Limits  
Stress Applied to Load  
• Integrated ESD Diode Protection  
R
G
G
• Low Threshold Voltage for Interfacing Power Loads to Logic or  
Microprocessor Devices  
R
GE  
• Low Saturation Voltage  
• High Pulsed Current Capability  
E
• These are Pb−Free Devices  
Applications  
2
D PAK  
CASE 418B  
STYLE 4  
• Ignition Systems  
1
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
MARKING DIAGRAM  
Rating  
Collector−Emitter Voltage  
Collector−Gate Voltage  
Gate−Emitter Voltage  
Symbol  
Value  
440  
Unit  
V
4
V
CES  
Collector  
V
CER  
440  
V
GB  
V
GE  
"15  
V
8202xxG  
AYWW  
Collector Current−Continuous  
I
C
20  
50  
A
DC  
A
AC  
@ T = 25°C − Pulsed  
C
Continuous Gate Current  
I
I
1.0  
20  
mA  
mA  
kV  
1
Gate  
3
G
Emitter  
2
Transient Gate Current (t≤2 ms, f≤100 Hz)  
ESD (Charged−Device Model)  
G
Collector  
ESD  
ESD  
2.0  
GB8202xx = Device Code  
xx = AN  
ESD (Human Body Model)  
kV  
R = 1500 W, C = 100 pF  
8.0  
A
= Assembly Location  
Y
WW  
G
= Year  
= Work Week  
= Pb−Free Package  
ESD (Machine Model) R = 0 W, C = 200 pF  
ESD  
500  
V
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
P
D
150  
1.0  
W
W/°C  
C
Derate above 25°C  
ORDERING INFORMATION  
Operating & Storage Temperature Range  
T , T  
−55 to +175  
°C  
J
stg  
†
Device  
Package  
Shipping  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
NGB8202ANT4G  
NGB8202ANTF4G  
800/Tape & Reel  
700/Tape & Reel  
2
D PAK  
(Pb−Free)  
Specifications subject to change without notice. © 2016 Littelfuse, Inc.  
1
Publication Order Number:  
December, 2016 − Rev. 10  
NGB8202AN/D  
12345678

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与N1661VF300相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
N1661VF360 LITTELFUSE

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 		Littelfuse提供业界最全面的标准相位控制晶闸管系列之一。 器件电压范围在400V至
N1663CH29 IXYS

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 6260A I(T)RMS, 2900V V(DRM), 2900V V(RRM), 1 Element, 101A32
N1663CH29GOO IXYS

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 		Silicon Controlled Rectifier, 6260 A, 2900 V, SCR, 101A325, 3 PIN
N1663CH29HOO IXYS

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 		Silicon Controlled Rectifier, 6260A I(T)RMS, 2900V V(DRM), 2900V V(RRM), 1 Element, 101A32
N1663CH29JOO IXYS

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 		Silicon Controlled Rectifier, 6260A I(T)RMS, 2900V V(DRM), 2900V V(RRM), 1 Element, 101A32
N1663CH35 IXYS

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 		Silicon Controlled Rectifier, 6260 A, 3500 V, SCR, 101A325, 3 PIN
N1663CH35GOO IXYS

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 6260A I(T)RMS, 3500V V(DRM), 3500V V(RRM), 1 Element, 101A32
N1663CH35HOO IXYS

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 6260A I(T)RMS, 3500V V(DRM), 3500V V(RRM), 1 Element, 101A32
N1663CH35JOO IXYS

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 6260A I(T)RMS, 3500V V(DRM), 3500V V(RRM), 1 Element, 101A32
N1663CZ31LOO IXYS

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 6260A I(T)RMS, 3100V V(DRM), 3100V V(RRM), 1 Element, 101A32

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