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N1661VC340

更新时间： 2024-11-09 14:54:03
品牌 Logo 应用领域
IXYS 栅栅极
页数 文件大小 规格书
10页 227K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 3259A I(T)RMS, 3400V V(DRM), 3400V V(RRM), 1 Element

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N1661VC340 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：DISK BUTTON, O-CXDB-X4
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.30.00.80
风险等级：5.84配置：SINGLE
最大直流栅极触发电流：300 mAJESD-30 代码：O-CXDB-X4
元件数量：1端子数量：4
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：ROUND
封装形式：DISK BUTTON认证状态：Not Qualified
最大均方根通态电流：3259 A断态重复峰值电压：3400 V
重复峰值反向电压：3400 V表面贴装：YES
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UNSPECIFIED
触发设备类型：SCRBase Number Matches：1

N1661VC340 数据手册

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Date:- 2 Jan, 2003  
Data Sheet Issue:- 1  
WESTCODE  
Phase Control Thyristor  
Types N1661VC300 to N1661VC360  
Absolute Maximum Ratings  
MAXIMUM  
LIMITS  
3000-3600  
3000-3600  
3000-3600  
3100-3700  
VOLTAGE RATINGS  
UNITS  
VDRM  
VDSM  
VRRM  
VRSM  
Repetitive peak off-state voltage, (note 1)  
Non-repetitive peak off-state voltage, (note 1)  
Repetitive peak reverse voltage, (note 1)  
Non-repetitive peak reverse voltage, (note 1)  
V
V
V
V
MAXIMUM  
LIMITS  
OTHER RATINGS  
UNITS  
IT(AV)  
IT(AV)  
IT(AV)  
IT(RMS)  
IT(d.c.)  
ITSM  
ITSM2  
I2t  
Mean on-state current. Tsink=55°C, (note 2)  
Mean on-state current. Tsink=85°C, (note 2)  
Mean on-state current. Tsink=85°C, (note 3)  
Nominal RMS on-state current. Tsink=25°C, (note 2)  
D.C. on-state current. Tsink=25°C, (note 4)  
1661  
A
A
1154  
710  
A
3259  
A
2875  
A
Peak non-repetitive surge tp=10ms, Vrm=0.6VRRM, (note 5)  
23000  
25000  
2.65×106  
3.13×106  
150  
A
≤
A
Peak non-repetitive surge tp=10ms, Vrm 10V, (note 5)  
I2t capacity for fusing tp=10ms, Vrm=0.6VRRM, (note 5)  
A2s  
A2s  
A/µs  
A/µs  
V
I2t  
≤
I2t capacity for fusing tp=10ms, Vrm 10V, (note 5)  
Maximum rate of rise of on-state current (repetitive), (Note 6)  
Maximum rate of rise of on-state current (non-repetitive), (Note 6)  
Peak reverse gate voltage  
diT/dt  
300  
VRGM  
PG(AV)  
PGM  
VGD  
5
Mean forward gate power  
4
W
Peak forward gate power  
30  
W
Non-trigger gate voltage, (Note 7)  
Operating temperature range  
0.25  
V
THS  
-40 to +125  
-40 to +150  
°C  
°C  
Tstg  
Storage temperature range  
Notes: -  
1) A De-rating factor of 0.13% per °C is applicable for Tj below 25°C.  
2) Double side cooled, single phase; 50Hz, 180° half-sinewave.  
3) Single side cooled, single phase; 50Hz, 180° half-sinewave.  
4) Double side cooled.  
5) Half-sinewave, 125°C Tj initial.  
≤
6) VD=67% VDRM, ITM=2000A, IFG=2A, tr 0.5µs, Tcase=125°C.  
7) Rated VDRM  
.
Data Sheet. Types N1661VC300 to N1661VC360 Issue 1.  
Page 1 of 10  
January, 2003  
1234567...10

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与N1661VC340相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
N1661VC360 IXYS

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 		Silicon Controlled Rectifier, 3259A I(T)RMS, 3600V V(DRM), 3600V V(RRM), 1 Element,
N1661VC360 LITTELFUSE

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 		Littelfuse提供业界最全面的标准相位控制晶闸管系列之一。 器件电压范围在400V至
N1661VF300 LITTELFUSE

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 		Littelfuse提供业界最全面的标准相位控制晶闸管系列之一。 器件电压范围在400V至
N1661VF360 LITTELFUSE

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 		Littelfuse提供业界最全面的标准相位控制晶闸管系列之一。 器件电压范围在400V至
N1663CH29 IXYS

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 		Silicon Controlled Rectifier, 6260A I(T)RMS, 2900V V(DRM), 2900V V(RRM), 1 Element, 101A32
N1663CH29GOO IXYS

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 		Silicon Controlled Rectifier, 6260 A, 2900 V, SCR, 101A325, 3 PIN
N1663CH29HOO IXYS

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 		Silicon Controlled Rectifier, 6260A I(T)RMS, 2900V V(DRM), 2900V V(RRM), 1 Element, 101A32
N1663CH29JOO IXYS

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 		Silicon Controlled Rectifier, 6260A I(T)RMS, 2900V V(DRM), 2900V V(RRM), 1 Element, 101A32
N1663CH35 IXYS

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 6260 A, 3500 V, SCR, 101A325, 3 PIN
N1663CH35GOO IXYS

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 		Silicon Controlled Rectifier, 6260A I(T)RMS, 3500V V(DRM), 3500V V(RRM), 1 Element, 101A32

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