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MXP1126-C

更新时间： 2024-11-10 22:45:43

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美高森美 - MICROSEMI		晶体光电晶体管光电晶体管
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Photo Transistor Chip

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MXP1126-C 数据手册

2830 S. Fairview St.

Santa Ana, CA 92704

PH: 714.979.8220

FAX: 714.557.5989

MXP1126-C

Photo Transistor Chip

Features

• Light Activated Photo Transistor Chip

• Planar NPN

• Aluminum Wire bondable

• Backside Metallization - Gold

• Die Attach methods: Eutectic or Epoxy

Electrical Characteristics @ 25^oC

SYMBOL

BV_CEO

BV_EBO

BV_CBO

CHARACTERISTIC

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector-Base Voltage

Collector Current

CONDITIONS

MIN

TYP

MAX

UNITS

Volts

I_C= 100 µA

I_E= 100 µA

I_C= 100 µA

500

Volts

500

Volts

V_CE= 10 Volts

nAmps

h_FE

Beta

V_CE= 5 Volts, I_C= 1 mA

Data Sheet # MSC1341.PDF

Updated:October 1998

O p t o P r o d u c t s

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