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MXP1144

更新时间： 2024-11-11 03:47:47
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美高森美 - MICROSEMI 二极管
页数 文件大小 规格书
4页 177K
描述
Photovoltaic By-Pass Diode 50 Volts, 1.0 Amps

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MXP1144 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DIE包装说明：X-XUUC-N1
针数：1Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.40
风险等级：5.92其他特性：PROTECTS PHOTOVOLTAIC CELLS FROM REVERSE VOLTAGE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：X-XUUC-N1
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：1最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：1 A
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：UNSPECIFIED
封装形式：UNCASED CHIP峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：50 V
表面贴装：YES端子面层：TIN LEAD
端子形式：NO LEAD端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

MXP1144 数据手册

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MXP1144  
Photovoltaic By-Pass Diode  
S A N T A
 
A N A
 
D I V I S I O N  
50 Volts, 1.0 Amps  
P
RODUCT
P
REVIEW  
KEY FEATURES  
DESCRIPTION  
ꢀ Oxide passivated structure for  
very low leakage currents  
ꢀ Epitaxial structure minimizes  
forward voltage drop  
Large area diode chip for medium current photovoltaic by-  
pass applications, or for higher current hybrid applications.  
The device is rated for 1A for applications where the device  
will be exposed to substantial radiation flux (space). For  
other applications, it may be operated at higher currents. A  
version with attached leads is available.  
ꢀ Triangular shape to fit in corner  
near flat of photovoltaic cell  
ꢀ Forward voltage decreases with  
radiation exposure  
ꢀ Targeted for terrestrial  
applications with silicon  
photovoltaic cells  
ꢀ Thin construction for fit with  
photovoltaic cells  
IMPORTANT: For the most current data, consult MICROSEMI’s website: http://www.microsemi.com  
APPLICATIONS/BENEFITS  
ꢀ Increases efficiency of  
photovoltaic arrays  
ꢀ Protects photovoltaic cells from  
reverse voltage  
MAXIMUM RATINGS @ 25°C (UNLESS OTHERWISE SPECIFIED)  
Description  
Symbol  
VRRM  
VRWM  
VR  
Max.  
Unit  
Volts  
Volts  
Volts  
Amps  
°C  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
50  
50  
50  
1.0  
-65 to +150  
-65 to +200  
IF(ave)  
Tj  
Tstg  
Average Rectified Forward Current, Tc≤ 135°C  
Junction Temperature Range  
Storage Temperature Range  
°C  
ELECTRICAL PARAMETERS  
Description  
Symbol  
Conditions  
Min  
Typ.  
Max Unit  
Reverse (Leakage)  
Current (in dark)  
IR25  
IR25  
10  
20  
nA  
VR= 4 Vdc, Ta= 25°C  
VR= 50 Vdc, Ta= 25°C  
200  
nA  
Forward Voltage  
VF1  
VF2  
Cj1  
750  
770  
1050  
90  
775  
mV  
mV  
pF  
V
IF= 400 mA, Ta= 25°C  
IF= 1.0 A, Ta= 25°C  
VR= 4 Vdc  
800  
pulse test, pw= 300 µs  
Junction Capacitance  
Breakdown Voltage  
1300  
BVR  
50  
IR= 200 µA, Ta= 25°C  
Copyright 2002  
MXP1144.PDF, 2002-05-01  
Microsemi  
Page 1  
Santa Ana Division  
2830 South Fairview, Santa Ana, CA. 92704, 714-979-8220, Fax: 714-557-5989  
1234

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