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MXP1152

更新时间： 2024-11-10 22:45:43

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美高森美 - MICROSEMI		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
1页	33K
描述
NPN Photo Transistor Hybrid Optocoupler

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MXP1152 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8541.40.80.00	风险等级：	5.88
Coll-Emtr Bkdn Voltage-Min：	20 V	配置：	SINGLE
标称电流传输比：	100%	最大暗电源：	100 nA
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
光电设备类型：	TRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLER	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：	1

MXP1152 数据手册

2830 S. Fairview St.

Santa Ana, CA 92704

PH: 714.979.8220

FAX: 714.557.5989

MXP1152

NPN Photo Transistor Hybrid Optocoupler

Features

• Small size

• Gold thick film bonding pads

• Custom input and output versions

• Low input current operation

Applications

• Solid state relays

• Switching power supplies

• CMOS drivers

• Light meters

Electrical Characteristics @ 25^oC

SYMBOL

CHARACTERISTIC

CONDITIONS

MIN

TYP

100

MAX UNITS

CTR

Current Transfer Ratio

IF = 10 mA, VCE = 5.0 V

VCE(SAT) Collector-Emitter Saturation Voltage IF = 10 mA, IC = 1.0 mA

0.25

Volts

BVCEO

ICEO

Collector-Emitter Voltage

Collector-Emitter Leakage Current

Input Forward Voltage

IC = 100 uA

VCE = 20 V

IF = 10 mA

VR = 3.0 V

Volts

100 nAmps

0.85

1.2

1.95

Volts

Input Reverse Current

100 uAmps

IF = 20 mA, VCE = 5 V,

RL = 100 Ohms

T(on)

Turn-On Time

usec

Notes:

Collector 1. Fritless gold over Pt-Au or Pd-Au metallization

2. Pt-Au or Pd-Au metallization

Base ^.085

hybrid substrate size

0.105 x 0.085 inch

wirebond contact size

Emitter

0.010 x 0.010 inch

.105

Data Sheet # MSC

Updated:May 1999

O p t o P r o d u c t s

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