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| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | SOT |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.13 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | DIFFUSED EMITTER BALLASTING RESISTORS | 外壳连接： | BASE |
| 最大集电极电流 (IC)： | 6 A | 集电极-发射极最大电压： | 20 V |
| 配置： | SINGLE | 最高频带： | L BAND |
| JESD-30 代码： | R-CDFM-F2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 200 °C |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 290 W | 最小功率增益 (Gp)： | 7 dB |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MX0912B251Y | NXP |
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NPN microwave power transistor |
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| MX0912B251Y,114 | NXP |
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MX0912B251Y |
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| MX0912B351Y | NXP |
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NPN microwave power transistor |
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| MX0912B351Y,114 | NXP |
获取价格 |
MX0912B351Y |
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| MX0912B351Y114 | NXP |
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NPN microwave power transistor |
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| MX0912B351YTRAY | NXP |
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TRANSISTOR L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR, BIP RF Power |
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| MX1 | ETC |
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| MX1 Series | MERITEK |
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MX1 Series | Ceramic SMD Crystal Unit 1.6 x 1.2mm MHZ Crystal |
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| MX1.5KE100A/TR | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 85.5V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, C |
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| MX1.5KE100AE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 85.5V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, R |
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