Datasheet > 晶体管 > 射频双极晶体管> MX0912B351YTRAY

MX0912B351YTRAY

更新时间： 2024-11-25 13:11:55

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		晶体射频双极晶体管微波放大器局域网
页数	文件大小	规格书
12页	96K
描述
TRANSISTOR L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR, BIP RF Power

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MX0912B351YTRAY 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.13	其他特性：	DIFFUSED EMITTER BALLASTING RESISTORS
外壳连接：	BASE	最大集电极电流 (IC)：	21 A
集电极-发射极最大电压：	20 V	配置：	SINGLE
最高频带：	L BAND	JESD-30 代码：	R-CDFM-F2
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

DISCRETE SEMICONDUCTORS

DATA SHEET

MX0912B351Y

NPN microwave power transistor

1997 Feb 19

Product speciﬁcation

Supersedes data of November 1994

12 3 4 5 6 7...12

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MX1	ETC	获取价格
MX1 Series	MERITEK	获取价格	MX1 Series \| Ceramic SMD Crystal Unit 1.6 x 1.2mm MHZ Crystal
MX1.5KE100A/TR	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 85.5V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, C
MX1.5KE100AE3	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 85.5V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, R
MX1.5KE100AE3/TR	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 85.5V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, R
MX1.5KE100AE3TR	MICROSEMI	获取价格	1500W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 1, 2 PIN
MX1.5KE100ATR	MICROSEMI	获取价格	1500W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, CASE 1, 2 PIN
MX1.5KE100ATRE3	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 85.5V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, R
MX1.5KE100CAE3/TR	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 85.5V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, RO
MX1.5KE100CAE3TR	MICROSEMI	获取价格	1500W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 1, 2 PIN