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MX0912B351Y

更新时间: 2024-11-24 22:13:03
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恩智浦 - NXP 晶体射频双极晶体管微波放大器局域网
页数 文件大小 规格书
12页 96K
描述
NPN microwave power transistor

MX0912B351Y 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:SOT
包装说明:FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.11Is Samacsys:N
其他特性:DIFFUSED EMITTER BALLASTING RESISTORS外壳连接:BASE
最大集电极电流 (IC):21 A集电极-发射极最大电压:20 V
配置:SINGLE最高频带:L BAND
JESD-30 代码:R-CDFM-F2元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:200 °C
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):960 W
最小功率增益 (Gp):7 dB认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子形式:FLAT端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

MX0912B351Y 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
MX0912B351Y  
NPN microwave power transistor  
1997 Feb 19  
Product specification  
Supersedes data of November 1994  

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