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| 生命周期： | Active | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.61 |
| FET 技术： | METAL SEMICONDUCTOR | 最高工作温度： | 175 °C |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 子类别： | Other Transistors |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MWT-A871SP | IXYS |
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Transistor |
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| MWT-A9 | IXYS |
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RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, Metal Semiconducto |
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| MWT-A970 | IXYS |
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RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, |
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| MWT-A970HN | IXYS |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, |
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| MWT-A970SN | IXYS |
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Transistor, |
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| MWT-A971 | IXYS |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, |
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| MWT-A973 | IXYS |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, |
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| MWT-A973LN | IXYS |
获取价格 |
Transistor, |
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| MWT-A989 | IXYS |
获取价格 |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Se |
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| MWT-A989SB | IXYS |
获取价格 |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semic |
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