5秒后页面跳转
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DIE |
| 包装说明： | UNCASED CHIP, R-XUUC-N4 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.7 |
| 其他特性： | LOW NOISE | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 7 V | FET 技术： | METAL SEMICONDUCTOR |
| 最高频带： | KU BAND | JESD-30 代码： | R-XUUC-N4 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 工作模式： | DEPLETION MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | UNCASED CHIP | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最小功率增益 (Gp)： | 5.8 dB | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | UPPER | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | GALLIUM ARSENIDE | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MWT-A9LN | IXYS |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, |
|
| MWT-A9SN | IXYS |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, |
|
| MWT-H15 | IXYS |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KA Band, Gallium Arsenide, N-Channel, |
|
| MWT-H16 | IXYS |
获取价格 |
Transistor |
|
| MWT-H4 | IXYS |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, N-Channel, |
|
| MWT-H7-11 | IXYS |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KA Band, Gallium Arsenide, N-Channel, |
|
| MWT-H7-12 | IXYS |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KA Band, Gallium Arsenide, N-Channel, |
|
| MWT-H7-13 | IXYS |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KA Band, Gallium Arsenide, N-Channel, |
|
| MWT-H7-14 | IXYS |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KA Band, Gallium Arsenide, N-Channel, |
|
| MWT-H7-16 | IXYS |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KA Band, Gallium Arsenide, N-Channel, |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
