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| 生命周期： | Active | 包装说明： | UNCASED CHIP, R-XUUC-N4 |
| Reach Compliance Code： | compliant | HTS代码： | 8541.21.00.40 |
| 风险等级： | 5.7 | 其他特性： | LOW NOISE |
| 配置： | SINGLE | FET 技术： | METAL SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 0.1 pF | 最高频带： | KU BAND |
| JESD-30 代码： | R-XUUC-N4 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 工作模式： | DEPLETION MODE |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | UNCASED CHIP | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最小功率增益 (Gp)： | 8.5 dB | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | UPPER | 晶体管元件材料： | GALLIUM ARSENIDE |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MWT-A9SN | IXYS |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, |
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| MWT-H15 | IXYS |
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RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KA Band, Gallium Arsenide, N-Channel, |
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| MWT-H16 | IXYS |
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Transistor |
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| MWT-H4 | IXYS |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, N-Channel, |
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| MWT-H7-11 | IXYS |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KA Band, Gallium Arsenide, N-Channel, |
|
| MWT-H7-12 | IXYS |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KA Band, Gallium Arsenide, N-Channel, |
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| MWT-H7-13 | IXYS |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KA Band, Gallium Arsenide, N-Channel, |
|
| MWT-H7-14 | IXYS |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KA Band, Gallium Arsenide, N-Channel, |
|
| MWT-H7-16 | IXYS |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KA Band, Gallium Arsenide, N-Channel, |
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| MWT-H7-2 | IXYS |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KA Band, Gallium Arsenide, N-Channel, |
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