是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TO-220AB | 包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.82 |
雪崩能效等级(Eas): | 205 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 60 V |
最大漏极电流 (ID): | 32 A | 最大漏源导通电阻: | 0.04 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-220AB |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 112 A |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | NO |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MTP36N06VG | ONSEMI |
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32A, 60V, 0.04ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, GREEN, CASE 221A-09, 3 PIN | |
MTP3LP01N3 | CYSTEKEC |
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30V P-CHANNEL Enhancement Mode MOSFET | |
MTP3LP01N3-0-T1-G | CYSTEKEC |
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30V P-CHANNEL Enhancement Mode MOSFET | |
MTP3LP01S3 | CYSTEKEC |
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30V P-CHANNEL Enhancement Mode MOSFET | |
MTP3LP01S3-0-T1-G | CYSTEKEC |
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30V P-CHANNEL Enhancement Mode MOSFET | |
MTP3N08L | MOTOROLA |
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3A, 80V, 0.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | |
MTP3N100 | MOTOROLA |
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Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 1000V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal- | |
MTP3N100E | MOTOROLA |
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TMOS POWER FET 3.0 AMPERES 1000 VOLTS RDS(on) = 4.0 OHM | |
MTP3N100E16 | MOTOROLA |
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Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 1000V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal- | |
MTP3N100EA | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 1000V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal- |