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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.67 |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 1000 V | 最大漏极电流 (ID)： | 3 A |
| 最大漏源导通电阻： | 4 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 75 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MTP3N100ES | MOTOROLA |
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暂无描述 |
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| MTP3N100ET | MOTOROLA |
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3 A, 1000 V, 4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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| MTP3N100EU | MOTOROLA |
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3 A, 1000 V, 4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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| MTP3N100EU2 | MOTOROLA |
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Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 1000V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal- |
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| MTP3N100EUA | MOTOROLA |
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Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 1000V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal- |
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| MTP3N100EW | MOTOROLA |
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暂无描述 |
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| MTP3N100EWC | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 1000V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal- |
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| MTP3N10L | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 100V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| MTP3N12 | MOTOROLA |
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3A, 120V, 1.2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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| MTP3N120E | MOTOROLA |
获取价格 |
TMOS POWER FET 3.0 AMPERES 1200 VOLTS RDS(on) = 5.0 OHM |
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