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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.8 | 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 55 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 55 A | 最大漏源导通电阻： | 0.03 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 203 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 193 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MTB55N10Q8 | CYSTEKEC |
获取价格 |
N -Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET |
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| MTB5D0C03J4 | CYSTEKEC |
获取价格 |
N & P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET |
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| MTB5D0C03J4-0-T3-G | CYSTEKEC |
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N & P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET |
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| MTB5D0N10RH8 | CYSTEKEC |
获取价格 |
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET |
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| MTB5D0N10RH8-0-T6-G | CYSTEKEC |
获取价格 |
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET |
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| MTB5D0P03J3 | CYSTEKEC |
获取价格 |
P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET |
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| MTB5D0P03J3-0-T3-G | CYSTEKEC |
获取价格 |
P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET |
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| MTB5D0P03Q8 | CYSTEKEC |
获取价格 |
P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET |
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| MTB5D0P03Q8-0-T3-G | CYSTEKEC |
获取价格 |
P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET |
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| MTB5K5N40KA3 | CYSTEKEC |
获取价格 |
N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
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