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MTB5D0N10RH8-0-T6-G

更新时间： 2024-11-24 01:21:27

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全宇昕 - CYSTEKEC		/
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10页	947K
描述
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

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MTB5D0N10RH8-0-T6-G 数据手册

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Spec. No. : C029H8

Issued Date : 2018.02.02

Revised Date :

CYStech Electronics Corp.

Page No. : 1/10

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

BVDSS

100V

54A

18A

MTB5D0N10RH8

ID@VGS=10V, TC=25°C

ID@VGS=10V, TA=25°C

5.5mΩ

6.7mΩ

VGS=10V, ID=30A

RDSON(TYP)

VGS=4.5V, ID=20A

Features

• Single Drive Requirement

• Low On-resistance

• Fast Switching Characteristic

• Pb-free lead plating and Halogen-free package

Symbol

Outline

DFN5×6

MTB5D0N10RH8

Pin 1

G：Gate D：Drain S：Source

Pin 1

Ordering Information

Device

Package

Shipping

DFN 5 ×6

MTB5D0N10RH8-0-T6-G

3000 pcs / tape & reel

(Pb-free lead plating and halogen-free package)

Environment friendly grade : S for RoHS compliant products, G for RoHS compliant and

green compound products

Packing spec, T6 : 3000 pcs / tape & reel,13” reel

Product rank, zero for no rank products

Product name

MTB5D0N10RH8

CYStek Product Specification

12 3 4 5 6 7...10

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