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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | DIMM, DIMM160 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | 3A991.B.2.A |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.84 |
| 最长访问时间： | 11 ns | 其他特性： | 32K X 8 TAG |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-XDMA-N160 |
| 内存密度： | 2097152 bit | 内存集成电路类型： | CACHE TAG SRAM MODULE |
| 内存宽度： | 64 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 160 |
| 字数： | 32768 words | 字数代码： | 32000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 32KX64 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 可输出： | YES |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装代码： | DIMM |
| 封装等效代码： | DIMM160 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | 并行/串行： | PARALLEL |
| 电源： | 3.3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大待机电流： | 0.013 A | 最小待机电流： | 3.14 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.63 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 3.135 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MT3LST3264G-12 | ETC |
获取价格 |
x64 Interleaved Burst Mode SRAM Module |
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| MT3LST3264G-9 | ETC |
获取价格 |
x64 Interleaved Burst Mode SRAM Module |
|
| MT3LST3264PG-7 | ETC |
获取价格 |
x64 Interleaved Burst Mode SRAM Module |
|
| MT3LST3264PG-8 | ETC |
获取价格 |
x64 Interleaved Burst Mode SRAM Module |
|
| MT3S03 | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP RF Small Signal |
|
| MT3S03A | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,NPN,5V V(BR)CEO,40MA I(C),SOT-416VAR |
|
| MT3S03AFS | TOSHIBA |
获取价格 |
VHF~UHF Band Low-Noise Amplifier Applications |
|
| MT3S03AS | TOSHIBA |
获取价格 |
SILICON NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE |
|
| MT3S03AT | TOSHIBA |
获取价格 |
TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE |
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| MT3S03AT(TE85L,F) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,NPN,5V V(BR)CEO,40MA I(C),SOT-416VAR |
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