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MT3S03S

更新时间: 2024-11-26 21:13:43
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 59K
描述
TRANSISTOR RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP RF Small Signal

MT3S03S 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.75
其他特性:LOW NOISE最大集电极电流 (IC):0.1 A
基于收集器的最大容量:1.1 pF集电极-发射极最大电压:5 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):80
最高频带:ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码:R-PDSO-G3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:125 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):0.15 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):10000 MHz
Base Number Matches:1

MT3S03S 数据手册

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