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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.84 | 其他特性： | LOW NOISE |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A | 基于收集器的最大容量： | 1.1 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 5 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 80 | 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.15 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 10000 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MT3S03A | TOSHIBA |
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TRANSISTOR,BJT,NPN,5V V(BR)CEO,40MA I(C),SOT-416VAR |
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| MT3S03AFS | TOSHIBA |
获取价格 |
VHF~UHF Band Low-Noise Amplifier Applications |
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| MT3S03AS | TOSHIBA |
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SILICON NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE |
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| MT3S03AT | TOSHIBA |
获取价格 |
TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE |
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| MT3S03AT(TE85L,F) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,NPN,5V V(BR)CEO,40MA I(C),SOT-416VAR |
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| MT3S03AT_07 | TOSHIBA |
获取价格 |
VHF~UHF Band Low Noise Amplifier Applications |
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| MT3S03AU | TOSHIBA |
获取价格 |
TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE |
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| MT3S03S | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP RF Small Signal |
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| MT3S03U | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP RF Small Signal |
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| MT3S04A | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, S-MINI, 2-3F1A, SC-59, 3 PIN, BI |
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