MT3S05T

更新时间： 2024-02-25 17:45:13

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东芝 - TOSHIBA		晶体晶体管局域网
页数	文件大小	规格书
3页	80K
描述
TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE

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MT3S05T 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	2-1B1A, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.78	其他特性：	LOW NOISE
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	0.04 A
基于收集器的最大容量：	1.25 pF	集电极-发射极最大电压：	5 V
配置：	SINGLE	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-F3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	125 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	4500 MHz	Base Number Matches：	1

MT3S05T 数据手册

MT3S05T

TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type

MT3S05T

VHF~UHF Band Low Noise Amplifier Applications

Unit: mm

Sutable for use in an OSC

Low noise figure

NF = 1.4dB

Excellent collector current linearity

|S21e|²= 8.5dB (@1 V/5 mA/1 GHz)

Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Characteristics

Symbol

Rating

Unit

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CBO

CEO

EBO

°C

Base current

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature range

100

125

-55~125

Tstg

JEDEC

―

JEITA

TOSHIBA

Weight: g (typ.)

2-1B1A

Marking

T K

2002-01-23

12 3

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