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MSM56V16161N-10

更新时间： 2024-11-27 01:05:39

品牌	Logo	应用领域
LAPIS		动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
44页	992K
描述
2-BankÃ524,288-WordÃ16-Bit SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM

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MSM56V16161N-10 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	TSOP2,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.7
访问模式：	DUAL BANK PAGE BURST	最长访问时间：	6 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	JESD-30 代码：	R-PDSO-G50
长度：	20.95 mm	内存密度：	16777216 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	50	字数：	1048576 words
字数代码：	1000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	1MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	座面最大高度：	1.2 mm
自我刷新：	YES	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

MSM56V16161N-10 数据手册

FEDD56V16161N-01

Issue Date : April 27, 2016

MSM56V16161N

2-Bank×524,288-Word×16-Bit SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM

DESCRIPTION

The MSM56V16161N is a 2-Bank  524,288-word  16-bit Synchronous dynamic RAM. The device

operates at 3.3V. The inputs and outputs are LVTTL compatible.

FEATURES

Product Name

Organization

MSM56V16161N

2Bank x 524,288Word x 16Bit

2,048Row x 256Column

3.3V0.3V

Address Size

Power Supply VCC (Core)

Power Supply VCCQ (I/O)

Interface

3.3V0.3V

LVTTL compatible

Operating Frequency

Operating Temperature

Function

Max. 166MHz (Speed Rank 6)

0 to 70°C

Standard SDRAM command interface

2, 3

/CAS Latency

Burst Length

1, 2, 4, 8, Full page

Burst Type

Sequential, Interleave

Burst, Single

Write Mode

Refresh

Auto-Refresh, 4,096cycle/64ms (0°C  Ta  70°C), Self-Refresh

Package

50-Pin Plastic TSOP(II) (Cu frame)

(P-TSOP(2)50-400-0.80-ZK)

PRODUCT FAMILY

Access Time (Max.)

Family

Max. Frequency

tAC2

5.4ns

6ns

tAC3

5.4ns

6ns

MSM56V16161N -6

MSM56V16161N -7

MSM56V16161N -75

MSM56V16161N -10

166MHz

143MHz

133MHz

100MHz

1/44

12 3 4 5 6 7...44

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