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MSM5718B70-50GS-K

更新时间： 2024-01-06 20:25:35

品牌	Logo	应用领域
冲电气 - OKI		时钟动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
40页	260K
描述
Rambus DRAM, 2MX9, CMOS, PDSO36, 11 X 25 MM, 0.65 MM PITCH, PLASTIC, SHP-32/36

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MSM5718B70-50GS-K 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	SSOP,	针数：	36
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.84
访问模式：	BLOCK ORIENTED PROTOCOL	其他特性：	SELF CONTAINED REFRESH
JESD-30 代码：	R-PDSO-G36	长度：	25 mm
内存密度：	18874368 bit	内存集成电路类型：	RAMBUS DRAM
内存宽度：	9	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	36
字数：	2097152 words	字数代码：	2000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	2MX9
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SSOP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, SHRINK PITCH
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.75 mm
自我刷新：	YES	最大供电电压 (Vsup)：	3.45 V
最小供电电压 (Vsup)：	3.15 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.65 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	11 mm	Base Number Matches：	1

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¡ Semiconductor

MSM5718B70

E2G1033-17-54

MSM5718B70

18-Megabit RDRAM (2M ¥ 9)

DESCRIPTION

The18-MegabitRambus™DRAM(RDRAM™)isanextremelyhigh-speedCMOSDRAMorganized

as 2M words by 9 bits. It is capable of bursting up to 256 bytes of data at less than 2 nanoseconds per

byte. The use of Rambus Signaling Logic (RSL) technology makes transfer rates greater than 500

MHz achievable while using conventional system and board design methodologies. Lower effective

latencyisattainedbyoperatingthedual2KBytesenseamplifiersashighspeedcaches, andbyusing

random access mode to facilitate large block transfers.

RDRAMs are general purpose high-performance memory devices suitable for use in a broad range

of applications including PC and consumer main memory, graphics, video, and any other

application where high-performance is required.

FEATURES

• Rambus Interface:

Over 500 MB/sec peak transfer rate per RDRAM

Rambus Signaling Logic (RSL) interface

Synchronous protocol for fast block-oriented transfers

Direct connection to Rambus ASICs, MPUs, and Peripherals

15 active signals require just 32 total pins on the controller interface (including power)

3.3 V operation

Additional/multiple Rambus Channels provide an additional 500 MB/second band-width each

• Dual 2KByte sense amplifiers may be operated as caches for low latency access

• Random Access mode enables any burst order at full band width

• Featuresforgraphicsincluderandom-accessmode,write-per-bitandmask-per-bitoperations

• Control and refresh logic entirely self-contained

• On-chip registers for flexible addressing and timing

• Available in horizontal surface mount plastic package (SHP32-P-1125-0.65-K)

12 3 4 5 6 7...40

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