Datasheet > 晶体管 > 射频双极晶体管> MSC82005

MSC82005

更新时间： 2024-11-29 10:45:59

品牌	Logo	应用领域
ASI		晶体射频双极晶体管放大器局域网
页数	文件大小	规格书
1页	19K
描述
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

MSC82005 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, O-CRFM-F2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.13	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	1 A	基于收集器的最大容量：	10 pF
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	15
最高频带：	L BAND	JESD-30 代码：	O-CRFM-F2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	29 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	FLAT
端子位置：	RADIAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

MSC82005 数据手册

MSC82005

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION:

The ASI MSC82005 is Designed for

General Purpose Class C Power

PACKAGE STYLE .250 2L FLG

Amplifier Applications up to 2000 MHz.

ØD

.060 x 45°

CHAMFER

FEATURES:

• P_G= 7.0 dB min. at 5W/ 2,000 MHz

• Common Base

• Hermetic Microstrip Package

• Omnigold™ Metalization System

MINIMUM

inches / mm

MAXIMUM

inches / mm

DIM

.028 / 0.71

.740 / 18.80

.245 / 6.22

.128 / 3.25

.032 / 0.81

MAXIMUM RATINGS

.255 / 6.48

.132 / 3.35

1.0 A

35 V

I_C

V_CC

P_DISS

T_J

.125 / 3.18

.117 / 2.97

.110 / 2.79

.117 / 2.97

.560 / 14.22

.790 / 20.07

.225 / 5.72

.165 / 4.19

.003 / 0.08

.058 / 1.47

.119 / 3.02

.149 / 3.78

.570 / 14.48

.810 / 20.57

.235 / 5.97

.185 / 4.70

.007 / 0.18

.068 / 1.73

.135 / 3.43

.187 / 4.75

29 W @ T_C= 25 °C

-65 °C to +200 °C

6.0 °C/W

T_STG

θ_JC

CHARACTERISTICS ^T_C= 25 °C

SYMBOL

BV_CBO

NONETEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

I_C= 1.0 mA

I_C= 5.0 mA

I_E= 1.0 mA

BV_CER

BV_EBO

I_CBO

R_BE= 10 Ω

3.5

_CB= 28 V

_CE= 5.0 V

2.5

---

I_C= 500 mA

120

h_FE

_CB= 28 V

f = 1.0 MHz

f = 2.0 GHz

C_ob

7.0

P_G

V_CC= 28 V

P_OUT= 5.0 W

η_C

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

REV. A

1/1

7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1200 • FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

中文翻译

下载PDF

与MSC82005相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MSC82010	STMICROELECTRONICS	获取价格	RF & MICROWAVE TRANSISTORS GENERAL PURPOSE AMPLIFIER APPLICATIONS
MSC82040	STMICROELECTRONICS	获取价格	RF & MICROWAVE TRANSISTORS GENERAL PURPOSE LINEAR APPLICATIONS
MSC82100	STMICROELECTRONICS	获取价格	RF & MICROWAVE TRANSISTORS GENERAL PURPOSE LINEAR APPLICATIONS
MSC82302	STMICROELECTRONICS	获取价格	RF & MICROWAVE TRANSISTORS GENERAL PURPOSE AMPLIFIER APPLICATIONS
MSC82304	STMICROELECTRONICS	获取价格	RF & MICROWAVE TRANSISTORS GENERAL PURPOSE AMPLIFIER APPLICATIONS
MSC82306	STMICROELECTRONICS	获取价格	RF & MICROWAVE TRANSISTORS GENERAL PURPOSE AMPLIFIER APPLICATIONS
MSC82307	STMICROELECTRONICS	获取价格	RF & MICROWAVE TRANSISTORS GENERAL PURPOSE AMPLIFIER APPLICATIONS
MSC8251	FREESCALE	获取价格	Single-Core Digital Signal Processor
MSC8251_11	FREESCALE	获取价格	Single-Core Digital Signal Processor
MSC8251SVT1000B	FREESCALE	获取价格	Single-Core Digital Signal Processor

与MSC82005相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

49
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

38
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

67
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

63

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

MSC82005

MSC82005 技术参数

MSC82005 数据手册

与MSC82005相关器件

与MSC82005相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

MSC82005

MSC82005 技术参数

MSC82005 数据手册

与MSC82005相关器件

与MSC82005相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？