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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | CHIP CARRIER, R-CBCC-N3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.92 |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 50 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 50 A | 最大漏源导通电阻： | 0.022 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-CBCC-N3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | CHIP CARRIER |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MSAEH50A06A | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| MSAEI30N20A | MICROSEMI |
获取价格 |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor |
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| MSAEI38N10A | MICROSEMI |
获取价格 |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor |
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| MSAER05N100A | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor |
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| MSAER06N90A | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor |
|
| MSAER07N80A | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor |
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| MSAER11N60A | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor |
|
| MSAER12N50A | MICROSEMI |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
|
| MSAER12N50AE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 500V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| MSAER14N40A | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor |
|
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