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Datasheet > MSAER38N10A
MSAER38N10A PDF预览

MSAER38N10A

更新时间： 2024-11-08 22:13:43
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI /
页数 文件大小 规格书
2页 52K
描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

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MSAER38N10A 技术参数

生命周期：ObsoleteReach Compliance Code：compliant
风险等级：5.84配置：Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：38 A最大漏源导通电阻：0.055 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-CBCC-N3
JESD-609代码：e0端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：CHIP CARRIER
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：300 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：TIN LEAD
端子形式：NO LEAD端子位置：BOTTOM
Base Number Matches：1

MSAER38N10A 数据手册

 浏览型号MSAER38N10A的Datasheet PDF文件第2页 
2830 S. Fairview St.  
Santa Ana, CA 92704  
PH: (714) 979-8220  
FAX: (714) 966-5256  
MSAER38N10A  
MSAFR38N10A  
Features  
100 Volts  
38 Amps  
55 mW  
·
·
·
·
·
·
·
Ultrafast rectifier in parallel with the body diode (MSAE type only)  
Rugged polysilicon gate cell structure  
Increased Unclamped Inductive Switching (UIS) capability  
Hermetically sealed, surface mount power package  
Low package inductance  
Very low thermal resistance  
Reverse polarity available upon request  
N-CHANNEL  
ENHANCEMENT MODE  
POWER MOSFET  
Maximum Ratings @ 25°C (unless otherwise specified)  
DESCRIPTION  
SYMBOL  
MAX.  
UNIT  
Drain-to-Source Breakdown Voltage (Gate Shorted to Source)  
@ TJ ³ 25°C  
BVDSS  
100  
Volts  
Drain-to-Gate Breakdown Voltage @ TJ ³ 25°C, RGS= 1 MW  
Continuous Gate-to-Source Voltage  
Transient Gate-to-Source Voltage  
BVDGR  
VGS  
VGSM  
ID25  
100  
+/-20  
+/-30  
38  
Volts  
Volts  
Volts  
Amps  
Continuous Drain Current  
Tj= 25°C  
Tj=  
ID100  
24  
100°C  
Peak Drain Current, pulse width limited by TJmax  
Repetitive Avalanche Current  
Repetitive Avalanche Energy  
Single Pulse Avalanche Energy  
Voltage Rate of Change of the Recovery Diode  
@ IS £ IDM, di/dt £ 100 A/ms, VDD £ VDSS, TJ £ 150°C  
IDM  
IAR  
EAR  
EAS  
dv/dt  
150  
38  
15  
150  
5.5  
Amps  
Amps  
mJ  
mJ  
V/ns  
Power Dissipation  
Junction Temperature Range  
Storage Temperature Range  
Continuous Source Current (Body Diode)  
Pulse Source Current (Body Diode)  
Thermal Resistance, Junction to Case  
PD  
Tj  
Tstg  
IS  
ISM  
qJC  
300  
-55 to +150  
-55 to +150  
38  
Watts  
°C  
°C  
Amps  
Amps  
°C/W  
150  
0.4  
Mechanical Outline  
DRAIN  
SOURCE  
GATE  
Datasheet# MSC0257B  
12

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