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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | CHIP CARRIER, R-CBCC-N3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| 最大漏源导通电阻： | 2 Ω | JESD-30 代码： | R-CBCC-N3 |
| JESD-609代码： | e0 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | CHIP CARRIER | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | BOTTOM |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MSAER06N90A | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor |
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| MSAER07N80A | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor |
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| MSAER11N60A | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor |
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| MSAER12N50A | MICROSEMI |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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| MSAER12N50AE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 500V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| MSAER14N40A | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor |
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| MSAER30N20A | MICROSEMI |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
|
| MSAER38N10A | MICROSEMI |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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| MSAER45N06A | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor |
|
| MSAER57N10A | MICROSEMI |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET + SCHOTTKY |
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