5秒后页面跳转
MSAD70-16 PDF预览

MSAD70-16

更新时间: 2024-11-07 21:02:51
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
3页 144K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 70A, 1600V V(RRM), Silicon, CASE D1, 3 PIN

MSAD70-16 技术参数

是否无铅: 含铅生命周期:Obsolete
包装说明:R-XUFM-X3针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.82
其他特性:UL RECOGNIZED应用:GENERAL PURPOSE
外壳连接:ISOLATED配置:COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:R-XUFM-X3JESD-609代码:e0
最大非重复峰值正向电流:1400 A元件数量:2
相数:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-40 °C
最大输出电流:70 A封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:1600 V表面贴装:NO
端子面层:TIN LEAD端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPER处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

MSAD70-16 数据手册

 浏览型号MSAD70-16的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MSAD70-16的Datasheet PDF文件第3页 
MSKD70 ; MSAD70 ; MSCD70  
Glass Passivated Rectifier  
Diode Modules  
VRRM 800 to 1800V  
IFAV 70 Amp  
Applications  
y
y
y
Non-controllable rectifiers for AC/AC  
converters  
Line rectifiers for transistorized AC motor  
controllers  
Field supply for DC motors  
Circuit  
Features  
y
Blocking voltage:800 to 1800V  
Heat transfer through aluminum oxide DBC  
ceramic isolated metal baseplate  
Glass passivated chip  
y
y
y
UL E243882 approved  
Module Type  
TYPE  
VRRM  
800V  
1200V  
1600V  
1800V  
VRSM  
900V  
1300V  
1700V  
1900V  
MSCD70-08  
MSCD70-12  
MSCD70-16  
MSCD70-18  
MSAD70-08  
MSAD70-12  
MSAD70-16  
MSAD70-18  
MSKD70-08  
MSKD70-12  
MSKD70-16  
MSKD70-18  
Maximum Ratings  
Symbol  
Conditions  
Values  
70  
Units  
Single phase ,half wave 180°conduction Tc=102℃  
Single phase ,half wave 180°conduction Tc=99℃  
t=10mS Tvj =45℃  
A
IFAV  
IF(RMS)  
IFSM  
i2t  
105  
A
1400  
A
A2s  
V
t=10mS Tvj =45℃  
9800  
a.c.50HZ;r.m.s.;1min  
3000  
Visol  
Tvj  
-40 to 150  
-40 to 125  
3±15%  
5±15%  
100  
Nm  
Nm  
g
Tstg  
Mt  
To terminals(M5)  
Ms  
To heatsink(M6)  
Weight  
Module (Approximately)  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Conditions  
Values  
0.51  
Units  
/W  
Per diode  
Rth(j-c)  
Rth(c-s)  
Module  
0.1  
/W  
Electrical Characteristics  
Symbol  
Values  
Min. Typ. Max.  
Conditions  
Units  
T=25IF =200A  
Tvj=150VRD=VRRM  
1.20  
1.48  
5
V
VFM  
IRD  
mA  
MSKD70_MSAD70_MSCD70-Rev2  
Oct, 2011  
www.microsemi.com  
1/3  

与MSAD70-16相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MSAD70-18 MICROSEMI

获取价格

Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 70A, 1800V V(RRM), Silicon, CASE D1, 3 PIN
MSAD70B-08 ETC

获取价格

Glass Passivated Rectifier Diode Modules
MSAD70B-12 MICROSEMI

获取价格

Rectifier Diode, 70A, 1200V V(RRM),
MSAD70B-16 MICROSEMI

获取价格

Rectifier Diode, 70A, 1600V V(RRM),
MSAD70B-18 ETC

获取价格

Glass Passivated Rectifier Diode Modules
MSAD800-08 ETC

获取价格

Rectifier Diode Modules
MSAD800-12 ETC

获取价格

Rectifier Diode Modules
MSAD800-16 ETC

获取价格

Rectifier Diode Modules
MSAD800-18 ETC

获取价格

Rectifier Diode Modules
MSAEH50A05A MICROSEMI

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 50V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met