是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Transferred |
包装说明: | PLASTIC, CASE 466-02, 4 PIN | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.77 | 配置: | SINGLE |
最小漏源击穿电压: | 8 V | FET 技术: | HIGH ELECTRON MOBILITY |
最高频带: | S BAND | JESD-30 代码: | R-PQSO-N4 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 4 |
工作模式: | DEPLETION MODE | 最高工作温度: | 85 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
功耗环境最大值: | 22.7 W | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET RF Small Signal | 表面贴装: | YES |
端子形式: | NO LEAD | 端子位置: | QUAD |
晶体管应用: | AMPLIFIER | 晶体管元件材料: | GALLIUM ARSENIDE |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
MRFG35003M6T1_06 | FREESCALE | Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor |
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MRFG35003MT1 | MOTOROLA | The RF GaAs Line GALLIUM ARSENIDE PHEMT RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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MRFG35003MT1 | FREESCALE | RF Reference Design Library Gallium Arsenide PHEMT |
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MRFG35003N6A | NXP | GaAs pHEMT Power FET, 3.5 GHz, 3 W , 6 V |
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MRFG35003N6AT1 | FREESCALE | Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor |
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MRFG35003NT1 | FREESCALE | RF Reference Design Library Gallium Arsenide PHEMT |
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