MRF890

更新时间： 2024-11-10 22:31:35

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ASI		晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管放大器
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描述
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

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MRF890 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	DISK BUTTON, O-CRDB-F4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.4	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	基于收集器的最大容量：	2 pF
集电极-发射极最大电压：	30 V	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	10	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	O-CRDB-F4	端子数量：	4
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	ROUND	封装形式：	DISK BUTTON
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	7 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	RADIAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

MRF890 数据手册

MRF890

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION:

PACKAGE STYLE .205 4L STUD

The ASI MRF890 is Designed for

UHF Class A Amplifier Applications in

Cellular Base Station Equipment.

FEATURES:

• Pg = 9.0 dB min. @ 900 MHz

• P_1dB= 2.0 Watts min. at 900 MHz

• Omnigold™ Metalization System

MAXIMUM RATINGS

0.5 A

55 V

I_C

V_CBO

V_CER

V_EBO

P_DISS

T_J

30 V

4.0 V

7.0 W @ T_C= 25 °C

-65 °C to +200 °C

-65 °C to +150 °C

25 ^°C/W

T_STG

θ_JC

CHARACTERISTICS ^T_C= 25 °C

SYMBOL

BV_CEO

NONETEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

I_C= 5.0 mA

I_E= 5.0 mA

BV_CES

BV_EBO

I_CBO

4.0

_CB= 30 V

_CE= 5.0 V

500

100

µA

---

I_C= 100 mA

P_OUT= 2.0 V

h_FE

V_CB= 30 V

f = 1.0 MHz

f = 900 MHz

2.0

C_OB

9.0

P_G

V_CC= 24 V

η_C

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1200 • FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

REV. A

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